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搜尋:矽半導體如二極體、電晶體等,其作動電壓約為

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42有關場效應電晶體之敘述,下歹IJ何者錯誤?
 
(A)場效應電晶體爲單一載子形成電流
 
(B)場效應電晶體爲電場VGS控制電流ID的元件 

(C)場效應電晶體從閘極看入的輸入阻抗較電晶體從基極看入的輸入阻抗高 

(D)接面場效應電晶體(JFET)要產生ID電流必須閘源極電壓(VGS)> 0
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答案:D
難度:困難

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36.有關場效應電晶體之敘述,下列何者錯誤?
 
(A)場效應電晶體爲單一載子形成電流

(B)場效應電晶體爲電場VQS控制電流ID的元件
 
(C)場效應電晶體從閘極看入的輸入阻抗較電晶體從基極看入的輸入阻抗高
 
(D)接面場效應電晶體(JFET)要產生ID電流必須閘源極電壓(VGS)> 0
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答案:D
難度:適中

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54.有關場效應電晶體之敘述,下列何者錯誤? 

(A)場效應電晶體爲單一載子形成電流
 
(B)場效應電晶體爲電場VGS控制電流ID的元件
 
(C)場效應電晶體從閘極看入的輸入阻抗較電晶體從基極看入的輸入阻抗高
 
(D)接面場效應電晶體(JFET)要產生ID電流必須閘源極電壓
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答案:D
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59 下列何者並非金屬晶體結構?
(A)體心立方晶體
(B)面心立方晶體
(C)實心立方晶體
(D)六方最密晶體
32.場效電晶體(FET)與雙極性電晶體(BJT)相比較,下列何者是場效電晶體的優點?
(A)輸入阻抗較大
(B)電壓增益較大
(C)電流增益較大
(D)頻帶寬較大
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答案:A
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