四、圖四電路如下,利用 MOSFET,當 threshold voltage Vt = 4 V、ID = 3.6 mA 及VGS = 10 V,求出VDS 。(25 分)
三、圖三電路如下,電晶體 β = 99,試利用 VBE = 0.7 V 及 thermal voltage VT = 25 mV, 求出 Rin 及 AV = vo /vs 。(25 分)
二、試求出圖二中 a-b 端點之等效電容值。(25 分)