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【站僕】摩檸Morning>試卷(2023/03/24)

A.電工原理、B.電子概論題庫 下載題庫

104 年 - 104 台灣中油股份有限公司_雇用人員甄選_儀電類、睦鄰-儀電類:A.電工原理、B.電子概論#113541 

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1.1.將 5 庫倫正電荷由 B 點移至 A 點,作功 60 焦耳,若 A 點對地電位為 20 伏特,則 B 點對地電位為多少伏特?
(A)8
(B)12
(C)24
(D)32


2.2.一台電動機自電源輸入 220 伏特,4 安培,若其效率為 80%,請問其輸出功率為多少瓦特?
(A)176
(B)704
(C)880
(D)1100


3.3.將額定 100 瓦特、200 伏特的電熱絲接於 100 伏特之電源,則其產生的功率為多少瓦特?
(A)25
(B)50
(C)200
(D)400


4.4.某導線上的電流為 2 安培,則在 10 分鐘內流過該導線的電量為多少庫倫?
(A)5
(B)20
(C)120
(D)1200


5.5.滿刻度為 1mA,內阻為 50Ω的安培表,若想要擴大為 0~100mA 的量度範圍,則其分流器的電阻值應為多少Ω?
(A)0.315
(B)0.505
(C)0.8
(D)4950


6.6.目前台電公司供給一般家庭的電源,其頻率為多少赫茲(Hz)?
(A)50
(B)60
(C)100
(D)110


7.

7.如(圖 7) 所示電路,若 A 點對地電位 7V,B 點對地電位 4V,則 I 之值應為多少?

(A)0.5A
(B)-0.5A
(C)2.5A
(D)-2.5A



8.

8.如(圖 8) 電路,電源 E 之值應為多少?

(A)18V
(B)33V
(C)51V
(D)69V



9.

9.如(圖 9) 電路,流經電阻 3Ω之電流為多少安培?

(A)0.5
(B)0.75
(C)1.5
(D)2.5



10.

10.將相同電容值的電容器 N 個並聯,其總電容量是串聯時總電容量的多少倍?
(A)N
(B)
(C)N2
(D)



11.

11.由法拉第定律得知:通過線圈之磁通量若成線性增加,則此線圈兩端所感應之電壓:
(A)亦成線性增加
(B)成線性降低
(C)為定值
(D)成非線性變化



12.12.如(圖 12) 電路,求 A、B 間總電感量為多少亨利?

(A)15
(B)35
(C)45
(D)55


13.13.佛萊明左手定則中,食指所指的方向為:
(A)導體運動方向
(B)磁力線方向
(C)電流方向
(D)應電勢方向


14.14.自感量為 0.5 亨利的線圈,在 0.5 秒內其電流變化量為 12 安培,則線圈兩端感應電勢為多少 V?
(A)3
(B)6
(C)12
(D)24


15.15.一只 10μF 電容器,接至 100V 直流電源,於 0.2 秒後此電容器充電完成,則在充電完成後電路之電流為何?
(A)0A
(B)1mA
(C)5mA
(D)1A


16.

16.如(圖 16) 電路中,當開關 S 閉合瞬間,電流 I 之值為多少安培?

(A)2A
(B)3A
(C)4A
(D)5A



17.17.有一台 8 極的交流發電機,若產生的電源頻率為 25 赫茲(Hz),則該機每分鐘轉速為多少轉?
(A)375
(B)600
(C)750
(D)1200


18.

18.交流電壓及電流之方程式如下:v(t)=100cos(314t- 30°)V,i(t)=-5sin(314t+60°)A,則兩者的相位關係為:
(A)電壓領先電流 30 度
(B)電壓領先電流 90 度
(C)電壓落後電流 90 度
(D)電壓與電流相位反相



19.

19.一元件兩端加上 伏特的電壓後,通過此元件之電流為 安培的電流,則此元件為何?
(A)0.02 亨利的電感
(B)0.02 法拉的電容
(C)0.002 亨利的電感
(D)0.002 法拉的電容



20.

20. Y-Y 平衡三相電路中,下列敘述何者正確?
(A)線電壓大小為相電壓大小的
(B)線電壓大小與相電壓大小相等
(C)線電流大小為相電流大小的
(D)相電流大小為線電流大小的



21.21.某交流電頻率為 60Hz 經全波整流後,則在負載上之電壓波形的頻率為何?
(A)180Hz
(B)60Hz
(C)100Hz
(D)120Hz


22.22.本質半導體摻入何種元素可將電特性轉變為 P 型半導體?
(A)磷
(B)砷
(C)銻
(D)硼


23.23.二極體之逆向電壓增加時,其內部接面電容值會產生何種變化?
(A)減小
(B)增加
(C)不變
(D)先增加後減小


24.24.二極體加上順向偏壓時,PN 接面會形成何種電容?
(A)漂移電容
(B)位障電容
(C)擴散電容
(D)順向電容


25.25.在整塊 N 型半導體中,是呈現何種電性?
(A)負電性
(B)視雜質原子序數而定
(C)正電性
(D)電中性


26.

26.某電壓信號 ,則其電壓有效值 Vrms 為何?
(A)
(B)100V
(C)90V
(D)80V



27.

27.如(圖 27) 所示之偏壓電路與其直流輸出負載線,當 VBB=VCC時,欲使工作點由 Q1 修正到 Q2的位置,可採取下列何項措施?
(A)增加 RC
(B)減少 RC
(C)增加 RB
(D)減少 RB



28.28.在 RC 耦合串級放大電路中,耦合電容 C 值必須甚大,其原因為何?
(A)級與級間之直流可順利通過
(B)可使偏壓較穩定
(C)散熱好
(D)防止低頻信號衰減


29.29.若一放大器之輸入為 10W,輸出為 0.1W,則其功率增益為多少?
(A)-40dB
(B)-20dB
(C)40dB
(D)20dB


30.30.有關場效應電晶體(FET)之敘述,下列何者錯誤?
(A)由多數載子負責傳導電流
(B)傳導電流之大小由靜電場控制
(C)輸入阻抗一般較雙極性接面晶體 BJT 還高
(D)載子為電洞者稱為 N 通道(channel)FET


31.31.當 JFET 之逆偏壓 VGS=VP 時:
(A)通道寬度最大
(B)空乏區最小
(C)ID=IDSS
(D)ID=0


32.32.若 FET 之參數 gm=2mA/V,rd = 20kΩ,則放大因數μ為何?
(A)10
(B)40
(C)50
(D)60


33.33.有關理想運算放大器特性之敘述,下列何者錯誤?
(A)開迴路增益無限大
(B)輸入阻抗無限大
(C)輸出阻抗無限大
(D)頻帶寬度無限大


34.34.若做為線性放大器時,場效應電晶體應工作於何種區域?
(A)歐姆區
(B)截止區
(C)飽和區
(D)三極區


35.

35.如(圖 35) 所示,運算放大器為理想,且其飽和電壓為±12V,當 Vs(t)=10mV,則 Vo(t)=?
(A)100mV
(B)-10V
(C)-1V
(D)-12V



36.

36.如(圖 36) 所示之理想運算放大器電路,流經稽納二極體之電流 IZ =1mA,運算放大器之飽和電壓為±15 V,則 R 值為何?
(A)1 kΩ
(B)2.5 kΩ
(C)3 kΩ
(D)5 kΩ



37.

37.如(圖 37) 所示之史密特觸發電路,若 R2=2R1,且輸入電壓 Vi(t)=6sin100tV,則其輸出電壓 Vo(t)為何種波形?

(A)正弦波
(B)鋸齒波
(C)三角波
(D)方波



38.38.具有正回授之放大器有下列何種特性?
(A)信號雜音比(S/N)增加
(B)穩定性增加
(C)產生振盪
(D)增加頻寬


39.

39.如(圖 39) 所示,OPA 為理想,Vo 為多少?
(A)-1V
(B)-3V
(C)-5V
(D)-7V



40.

40.如(圖 40) 中 Vin=20V、RS=2kΩ,稽納二極體 DZ的參數為 VZ=9.3V、IZK=1mA、IZK=5mA,若忽略其稽納電阻,且二極體 D1 之膝點電壓(Knee Voltage)為 0.7V,則可讓稽納二極體 DZ正常運作之最低負載電阻 RL為多少?
(A)1kΩ
(B)2kΩ
(C)2.5kΩ
(D)5kΩ



41.41.有兩個電阻 R1及 R2,串聯接於某電源的消耗功率與並聯接於同一電源的消耗功率比為 1:4,若已知 R1=4Ω,則 R2為:
(A)2Ω
(B)4Ω
(C)8Ω
(D)16Ω


42.

42.如(圖 42) 所示,若伏特計指示 6V,安培計指示 0.5A,已知安培計內阻為 1.2Ω,則電阻 R 之值為:

(A)3.6Ω
(B)5.4Ω
(C)7.2Ω
(D)10.8Ω



43.

43.如(圖 43) 電路中,R3 電阻值若增加,則:

(A)R2 之電流將增大
(B)R2 之電流將降低
(C)R2 之電流不會改變
(D)R2 之電流可能增大亦可能降低



44.44.有關一個帶負電荷金屬球之敘述,下列何者錯誤?
(A)電力線由外部指向金屬球
(B)金屬球表面電場最大,內部則為零
(C)金屬球表面電位最大,內部則為零
(D)電荷均勻分布在金屬球表面,內部則無


45.45.真空中,兩電荷帶電量分別為Q1=+8x10-5庫倫,Q2=+6x10-4庫倫,若兩電荷相距 3 公尺,則此兩電荷間作用力為何?
(A)9 牛頓排斥力
(B)16 牛頓排斥力
(C)16 牛頓吸引力
(D)48 牛頓排斥力


46.

46.如(圖 46) ,若 6μF 電容器兩端電壓 25V,求通過 30μF 電容器之電量為多少μC?

(A)900
(B)1050
(C)1200
(D)2400



47.47.一導線長 20 公尺在磁通密度為 10-2 韋伯/平方公尺之磁場中,若其上的電流為 3 安培,所受之力為 0.6 牛頓,則導線與磁場間之夾角為多少度?
(A)30
(B)45
(C)60
(D)90


48.

48.如(圖 48) 波形,其電壓平均值為何?
(A)  
(B)
(C)
(D) 10V



49.

49.如(圖 49) 所示,求通過電阻 之電流為何?

(A)
(B)  
(C)   
(D)



50.

50. ,若改為並聯等效電路,則RP及 分別為多少 Ω?
(A)20,-j10
(B)20,j10
(C)15,j10
(D)20,-j20



51.

51.如(圖 51) 電路,總實功率 PT及總虛功率 QT各為多少?

(A)2 kW;2.2 kVAR
(B)1 kW;0 kVAR
(C)2.2 kW;1 kVAR
(D)2.2 kW;7 kVAR



52.

52. R-L-C 並聯電路中,R=50KΩ,L=3mH,C=75nF;若電路接於 伏特之交流電源,則其電路品質因數 QP為何?
(A)25
(B)50
(C)125
(D)250



53.

53.調整(圖 53) 中負載阻抗 RL與 XL之值,使負載得到最大功率,此時負載所消耗的最大功率為多少瓦特?

(A)18
(B)25
(C)36
(D)44



54.54.有關電晶體的結構與特性,下列敘述何者錯誤?
(A)集極面積大於射極面積
(B)摻雜比例是射極多於基極
(C)降低集極摻雜濃度,可提高其逆向崩潰電壓
(D)電晶體的電流是由多數載子所形成


55.55.有關石英晶體振盪器之敘述,下列何者錯誤?
(A)石英晶體組成的振盪器頻率最為穩定
(B)石英晶體是一種壓電效應之材料
(C)石英晶片愈薄振動頻率愈低
(D)低頻振盪器一般採用 RC 電路為主


56.

56.如(圖 56) 所示,二極體為理想,則電路之輸出電壓 Vo 為何?

(A)2V
(B)6V
(C)8V
(D)12V



57.

57.某全波整流電路(中心抽頭式),當負載 RL =1kΩ上產生 169mW 的功率消耗時,每個二極體的峰值反向電壓(PIV)為多少?
(A)  
(B)  
(C)
(D) 



58.

58.如(圖 58) 之電路,若+VEE=+15V,-Vcc=-9.6V,RB=1.9MΩ,Rc=2kΩ,RE=1kΩ,VEB=0.6V,β=100,則下列何者錯誤?

(A)IC=1.2mA
(B)VC=-7.2V
(C)VE=13.8V
(D)VCE=-3.6V



59.59.有 40W 輸出的放大器連接至 10Ω揚聲器上,若放大器的電壓增益為 40dB,則額定輸出時其輸入電壓為何?
(A)40 mV
(B)100 mV
(C)200 mV
(D)400 mV


60.

60.如(圖 60) 所示為一運算放大器電路,OPA 為理想,試求輸出電壓 Vo為若干?

(A)-15V
(B)-10V
(C)-5V
(D)10V



61.

61.如(圖 61) 所示電路,若 gm=2mA/V,rd忽略不計,下列敘述何者錯誤?

(A)Zi= 500Ω
(B)Zo= 5kΩ
(C)AV = 10
(D)此電路為共閘極放大電路



62.

62.如(圖 62) 所示,電容 C=100μF,電阻 R=5kΩ,其初始值 Vo=0V,輸入電壓 Vi =1V,若開關 SW 在 t=0 時關上,則經過 1 秒後,輸出電壓 Vo=?
(A)1V
(B)2V
(C)-1V
(D)-2V



63.

63.如(圖 63) 所示為 555 波形產生器,其輸出之波形週期的近似值為何?

(A)0.7(R1+2R2)C1
(B)0.7(R1+R2)C2
(C)0.7(R1+2RL)C1
(D)0.7(R1+2RL)C2



64.

64.如(圖 64) 所示為無穩態多諧振盪電路,裝配後經過測試後,結果 Q1 及 Q2 一直保持為 ON,而沒有振盪,則故障會在何處?
(A)R2開路
(B)R3短路
(C)C1開路
(D)R4開路



65.

65.如(圖 65) 所示,直流工作點設置於 VGS=-1.75V,VDS=6V,ID=2.5mA,則 RD與 RS 分別為:
(A)2.5kΩ,1.5kΩ
(B)3kΩ,1kΩ
(C)2kΩ,2kΩ
(D)1.5kΩ,2.5kΩ



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