98年 - 98 身心障礙特種考試_四等_電子工程：電子學概要#48261

科目：電子學 | 年份：98年 | 選擇題數：0 | 申論題數：6

試卷資訊

所屬科目：電子學

選擇題 (0)

申論題 (6)

⑴在室溫下，對於一個本質（intrinsic）或低濃度的 n 型半導體，如果溫度上升，請問此半導體的電阻會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答案。（10 分）

⑵在室溫下，對於一個 p-n 二極體，如果溫度上升，請問此 p-n 二極體的截止電壓（cut-in）或臨界電壓會如何變化？是上升？或下降？還是不變？請解釋你的答案。（10 分）

二、對於一理想運算放大器，試求以輸入電壓v₁與v₂表示下圖運算放大器電路的輸出電壓v_O。（20 分）

三、對於下圖的雙極性電晶體（BJT）電路，假設電晶體的電流增益 β = 100，計算流經 1 kΩ 電阻的電流值與基極端的電壓值。（20 分）

四、對於下圖的金氧半電晶體（MOSFET）電路，假設電晶體的參數V_t = 2 V，K = 0.25 mA/V²，及 r_o = ∞，求在源極端的輸出直流電壓V_O與自源極端所看進去的小訊號電阻。（20 分）

五、對於下圖的差動放大器（differential amplifier）電路，假設電晶體的電流增益 β = 100，計算此電路的電壓增益與輸入電阻。（20 分）