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【段考】國一國文下學期
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103年 - 屏東縣立中正國民中學103學年度第二學期第一次段考七年級國文科試題#22220
> 試題詳解
沒有 【段考】國一國文下學期 權限,請先開通.
答案:
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統計:
A(4), B(72), C(12), D(0), E(0) #845931
詳解 (共 2 筆)
DODOIT
B1 · 2015/08/09
#1131638
兩座連綿的山巒→眉
倚潭而生→潭=眼
2
0
劉妍蓁
B2 · 2021/03/01
#4568150
倚潭而生 潭表示眼睛開心難過時 偶爾...
(共 31 字,隱藏中)
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沒有 【段考】國一國文下學期 權限,請先開通.
#845932
1 下列由理想運算放大器所組成的應用電路中,何種電路中的運算放大器輸入端,不可視為虛短路? (A)比較器 (B)非反相放大器 (C)反相放大器 (D)微分器
#845933
2 如圖所示之電晶體係下列那一種電晶體? (A) n 通道金氧半場效電晶體(N-MOSFET) (B) p 通道金氧半場效電晶體(P-MOSFET) (C) n 通道接面場效電晶體(N-JFET) (D) p 通道接面場效電晶體(P-JFET)
#845934
3 如圖所示運算放大器電路,下列敘述何者錯誤? (A)參考電壓 VREF為+6V (B)當輸入電壓 Vi為 5V,輸出電壓 VO約為-12V (C)當輸入電壓 Vi為 7V,LED 燈為暗 (D)此電路為比較器電路.
#845935
4 有一 BJT,其β=100,已知在室溫下熱電壓 VT=25 mV,若 IC=1 mA,則該 BJT 之轉導 gm值為: (A) 4 mA/V (B) 40 mA/V (C) 400 mA/V (D) 4 A/V
#845936
5 PN 二極體之內建電位障(built-in potential barrier),乃是其空乏區域(depletion region)內甚麼所造 成? (A)兩側電子 (B)兩側電洞 (C)中性原子 (D)正離子及負離子
#845937
6 在室溫時,N 型或 P 型半導體的導電特性與溫度的關係是: (A)隨溫度升高,導電特性變好 (B)隨溫度升高,導電特性變差 (C)導電特性不隨溫度變化而改變 (D)視其為 N 型或 P 型半導體而定
#845938
7 圖示理想二極體電路中,試求輸入電壓 vI的範圍,在此範圍內,輸出電壓 vO的值將會隨輸入 vI之變 化而變化,其範圍為: (A)1 V ≤vI≤ 4V (B) 1.5V ≤vI≤ 6V (C)2V≤vI≤8V (D) 4V ≤ vI≤ 10V
#845939
8 如圖所示之電路,其共振頻率約為何? (A) 51.4 Hz (B) 61.4 Hz (C) 71.4 Hz (D) 81.4 Hz
#845940
9 圖示全波整流電路,若交流電 vS之有效值電壓為 10 Vrms,二極體導通時的壓降 VD為 0.7 V,則此電 路中使用的二極體崩潰電壓應至少為: (A) 6.3 V (B) 9.3 V (C) 13.3 V (D) 17.3 V
#845941
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