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【段考】國三社會上學期
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109年 - 2020桃園市市立文昌國中九年級109 上學期社會第一次段考(期中考)翰林#98322
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統計:
A(2), B(5), C(3), D(3), E(0) #2689036
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#2689039
1. 有關軟銲及硬銲之敘述,下列何者不正確? (A) 軟銲常使用鋁及其合金為銲料 (B) 軟銲可以使用電烙鐵熔化銲料 (C) 硬銲銲料常使用銅合金 (D) 硬銲使用硼砂當銲劑
#2689040
2. 鎢系高速鋼,常見標準型為 18-4-1,其中代號 4 表示: (A) 鉻含量 4 % (B) 鎢含量 4 % (C) 鉬含量 4 % (D) 鐵含量 4 %
#2689041
3. 有關非傳統加工之敘述,下列何者不正確? (A) 熱固性塑膠在固化成形後,即使再加熱也無法再度軟化 (B) 粉末冶金燒結之目的是加熱粉末使其互相結合 (C) 電子束加工不需要在真空中進行 (D) 超音波加工適合加工硬脆材料
#2689042
4. 有關材料之表面硬化處理,下列敘述何者不正確? (A) 表面硬化處理可使表面硬度提高,而心部具有適當的韌性 (B) 氮化處理可適用於任何材料 (C) 將碳、氮、硫等元素,經適當處理滲入鋼鐵表面,可增加表面硬度 (D) 鋼鐵表面淬火硬化處理,其過程須配合表面快速升溫及急速冷卻
#2689043
5. 有關放電加工之敘述,下列何者正確? (A) 環氧樹脂可以當作工具電極 (B) 加工時通常工件及工具電極都會消耗 (C) 線切割放電加工通常使用鐵線作為工具電極 (D) 不可以加工碳化鎢材料
#2689044
6. 有關半導體製程之敘述,下列何者正確? (A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題 (B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除 (C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成 (D) 矽是半導體,如果摻雜硼或磷之後,就會變成導體
#2689045
7. 有關研磨加工之敘述,下列何者不正確? (A) 擦光 ( Buffing ) 與拋光 ( Polishing ) 的差異,在於拋光所使用的磨粒比較細 (B) 化學機械拋光 ( Chemical Mechanical Polishing ) 常用於矽晶圓片之研磨 (C) 超光 ( Super Finishing ) 使用油石在工件表面往復振動的方向,通常與工件旋轉方向垂直 (D) 外圓磨削加工時,工件不用兩頂心支持,稱為無心研磨
#2689046
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