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【段考】高一化學下學期
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99年 - 99下1高一化學 - 桃園市私立六和高中99 下學期高一化學第一次段考(期中考)#52900
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1有關一個理想運算放大器之敘述,下列何者錯誤? (A)直流偏壓在主動區 (B)輸入電流為零 (C)共模輸出訊號是無限大 (D)輸出端可當作一輸出阻抗為零之理想電源
#1339890
2 如圖所示電路,一個理想反相運算放大器,若 R1 = 20 kΩ、R2 = 100 kΩ,當 Vi = 0.2 V 時,求流經 R2 電流為多少? (A)2 μA (B)10 μA (C)20 μA (D)0.2 mA
#1339891
3 如圖所示 CMOS 反相器電路,使用電壓源為+3.3 V,反相器之輸出負載為一個電容 CL = 1 pF,若輸 入訊號 vI之交換頻率為 1 MHz,則此電路之消耗功率約為多少? (A)3 μW (B)6 μW (C)11 μW (D)14 μW
#1339892
4 場效電晶體在飽和區(saturation region)的有限輸出阻抗,是由於: (A)本體效應(Body effect) (B)通道長度調變效應(Channel length modulation effect) (C)溫度效應(Temperature effect) (D)密勒效應(Miller effect)
#1339893
5 雙極性接面電晶體(BJT)的轉導值(Transconductance)gm定義為: (A) (B) (C) (D)
#1339894
6 如圖所示電路,一個理想運算放大器,若運算放大器之飽和電壓為 ±14 V,在其飽和前,iL的最大值 約為何? (A)4.7 mA (B)4 mA (C)2 mA (D)1.4 mA
#1339895
7 下列那一個元件的端點數最多? (A)電阻 (B)二極體 (C)雙極性接面電晶體 (D) MOS 電晶體
#1339896
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