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【段考】高二化學
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99年 - 99下3高二化學 - 桃園市私立六和高中99 下學期高二化學第三次段考(期末考)#52902
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37 如圖所示波形產生電路，U1為理想運算放大器，且飽和電壓（Saturation voltage）為 +10 V 與 -10 V。 對於電容 C 兩端電壓 VC可能之波形，下列敘述何者正確？ (A)接近正弦波 (B)接近方波 (C)接近三角波 (D)接近一直流準位
#1339926
38 如圖所示差動對電路，電晶體之 β = 100，ro →∞，RC = 4 kΩ，I = 2 mA，VCC = -VEE = 10 V，取 VBE(on) = 0.7 V，VCE(sat) = 0.3 V，VT = 25 mV，當 vB1 = vB2 = 0 時，iC1(iC2)之值約為何？ (A)0 mA (B)0.01 mA (C)1 mA (D)2 mA
#1339927
39 如圖所示電路，若 MOSFET 操作在飽和區（Saturation Region）且轉導值（gm）為 1 mA/V，忽略其 輸出阻抗（ro），該放大器之高頻 3-dB 頻率（ωH）為何？ (A) 1 GHz (B)20 MHz (C)1.59 MHz (D)318 kHz
#1339928
40 如圖所示放大器（其偏壓未示），若電晶體的轉導參數為 gm，輸出電阻為 ro，則此放大器的輸出電 阻 RO約為何？ (A) RC (B) RE (C) ro+ RC (D) ro+ RE
#1339929
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