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上一題
1 對操作於飽和區（Saturation Region）之 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）的敘述，下列何者 正確？
 
(A)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於汲極源極電壓差VDS 

(B)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極源極電壓差VGS
 
(C)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極之寬長比（W/L） 

(D)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於操作溫度T




1 對操作於飽和區（Saturation Region）之 n 通道金氧半場效電..-阿摩線上測驗