100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38816

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意 | 年份：100年 | 選擇題數：40 | 申論題數：0

試卷資訊

所屬科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

選擇題 (40)

1 對操作於飽和區（Saturation Region）之 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）的敘述，下列何者正確？

(A)汲極電流（Drain Current）, I_D , 係正比於汲極源極電壓差V_DS

(B)汲極電流（Drain Current）, I_D , 係正比於閘極源極電壓差V_GS

(C)汲極電流（Drain Current）, I_D , 係正比於閘極之寬長比（W/L）

(D)汲極電流（Drain Current）, I_D , 係正比於操作溫度T

2 在相同的偏壓下，若欲使金氧半場效電晶體（MOSFET）的i_D電流增加，可以： (A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W (B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W (C)減少通道長度 L，並增加通道寬度 W (D)固定通道長度 L，並減少通道寬度 W

3 如下圖所示之電路中，若二極體之順向電阻（Forward Resistance）為 30 Ω，切入電壓（Cut-in Voltage）為 0.7 V，而外接電阻R=0.2 kΩ，外接電壓源V_DD=3 V，則跨在二極體之輸出電壓V_D為何？

(A) 1 V (B) 1.5 V (C) 2 V (D) 2.5 V

4 有一運算放大器電路如下圖所示，其電源接±15 V，設V_I=2 V，則輸出V_o為：

(A) -20 V (B) +20 V (C) -15 V (D) +15 V

5 差動放大器（Differential Amplifier）具有下列何種性質？ (A)高共模放大率（Common-Mode Gain） (B)低差模放大率（Differential Gain） (C)高共模互斥比（CMRR） (D)不能抑制輸入共模信號（Common-Mode Signal）

6 如下圖中，R_in等於：

7 在下圖的理想放大電路中，若V₁=3 V，V₂=2 V，V₃=-4V，則V_o為：

(A) -7 V (B) -9 V (C) -8 V (D) -6 V

8 要獲致高電流增益（Current Gain）之雙極性接面電晶體（Bipolar Junction Transistor），則下列何者為正確？ (A)基極（base）很薄且為輕度摻雜（Lightly Doped） (B)基極（base）很厚且為輕度摻雜（Lightly Doped） (C)基極（base）很薄且為重度摻雜（Heavily Doped） (D)基極（base）很厚且為重度摻雜（Heavily Doped）

9 關於雙極性接面電晶體（BJT）飽和時的敘述何者正確？ (A)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓 (B)射極基極介面（EBJ）為順向偏壓，集極基極介面（CBJ）為逆向偏壓 (C)射極基極介面（EBJ）為逆向偏壓，集極基極介面（CBJ）為順向偏壓 (D)射極基極介面（EBJ）為逆向偏壓，集極基極介面（CBJ）為逆向偏壓

10 如下左圖所示之放大器電路，其交流等效電路如右圖所示，其中R_i為：

(A) R₁+ R₂ (B)

(D)以上皆非

11 有關蕭特基二極體（Schottky-Barrier Diode）與 PN 接合二極體（PN Junction Diode）工作原理比較的敘述，下列何者正確？ (A) PN 接合二極體導通時傳導的載子是多數載子（Majority Carriers） (B) PN 接合二極體導通的順向啟動電壓比較低 (C)蕭特基二極體傳導機制沒有少數載子儲存（Minority-Carrier Storage）問題 (D)蕭特基二極體導通與關閉的切換速度較慢

12 如下圖中之電路將可得到那些功能？

(A)微分 (B)積分 (C)記憶 (D)濾波

13 MOSFET 可程式化（Erasable）的 Read-Only-Memory（ROM），最主要的工作原理為何？ (A)熱電子被陷於閘極氧化層，無法瞬間排出 (B)熱電子被陷於矽晶基板，無法瞬間排出 (C)熱電子被陷於汲極歐姆接觸，無法瞬間排出 (D)熱電子被陷於源極歐姆接觸，無法瞬間排出

14 二個輸入的 NAND 閘，當輸入其中一個為 1，另一個為 0，則輸出為何？ (A) 0 (B) 1 (C) 2 (D) 3

15 如下圖所示電路，若R₁=2 kΩ，R₂=2 kΩ，C₁=10 μF，則-3 dB之低頻截止頻率約為：

(A)16 Hz (B) 8 Hz (C) 4 Hz (D) 2 Hz

16 如下圖所示之數位電路由三個JK正反器（JK Flip-Flop）及一個AND邏輯閘組成，其中V_CC為 5 V，Q₀為低位元，Q₂為高位元，則此數位電路為：

(A)具左移功能之三位元移位器 (B)具右移功能之三位元移位器 (C)具上數功能之三位元計數器 (D)具下數功能之三位元計數器

17 有關多級串接的放大電路，對於整個多級放大電路而言，下列敘述何者正確？ (A)級數越多，頻寬越窄 (B)級數越多，電壓放大率越高 (C)級數越多，電路穩定性及可靠度均越佳 (D)級數越多，輸入阻抗越大

重新載圖18 某低通放大器的頻寬越寬，則其輸入信號為步階輸入（Step Input）時，放大器輸出端暫態響應的上升時間為何？ (A)越短 (B)越長 (C)不一定 (D)不變

19 如下圖所示電路，為何種振盪器？

(A)積分相位落後型雙 T 電橋振盪器 (B)微分相位超前型雙 T 電橋振盪器 (C)積分相位落後型 RC 相移振盪器 (D)微分相位超前型 RC 相移振盪器

20 如下圖電路中，

所實現的濾波功能為何？

(A)一階低通濾波器 (B)二階低通濾波器 (C)一階高通濾波器 (D)二階高通濾波器

21 一個I_DSS=6 mA，V_p=-6 V的JFET，當其工作於V_GS=-3 V時，它的互導g_m為：（提示：I_D=I_DSS［

） (A) 0.25 mS (B) 0.5 mS (C) 1 mS (D) 2 mS

22 今有一BJT放大器電路如下圖所示，假設 C₁、C₂、C_E三個電容值趨近於無窮大，今欲分析此電路對應的小信號等效電路並以π型等效電路模型表示BJT，則最恰當之等效電路為：

23 有一橫列位址解碼電路如下圖所示，圖中顯示輸出信號線WN所對應的交換電路陣列（Switching Array）的細部電路連線，CLKP VDD CLKP WN-1 VDD CLKP WN GND A2 A2 A1 A1 A0 A0 Switching Array Row Address 預先使所有輸出信號線充電至高準位，再由位址匯流排決定啟動那一條輸出線，則下圖電路之輸出信號WN所對應的位址（二進位碼）為何？

(A)A₂A₁A₀=100 (B)A₂A₁A₀=001 (C)A₂A₁A₀=101 (D)A₂A₁A₀=010

24 若一矽塊之受體濃度為 1×1015/cm³ ，本質濃度為ni=1.5×1010/cm³ ，μn=1500 cm² /v-sec，μp=475 cm² /v-sec，則此一矽塊之導電率約為：

(A) 7.6×10^-2 (Ω-cm)^-1

(B) 2.5×10^-2 (Ω-cm)^-1

(C) 4.8×10^-2 (Ω-cm)^-1

(D) 9.3×10^-2 (Ω-cm)^-1

25 下列方法何者不能有效降低二極體中的擴散電容？ (A)減少元件面積 (B)減少載子生命週期 (C)增加空乏區厚度 (D)使 p-n 摻雜區厚度小於電子電洞的擴散長度

26 如下圖所示之差動放大器，若電晶體β=200、V_BE=0.7 V、V₁=V₂=0 V時，則其CMRR值為何？ (A) 140 (B) 200 (C) 570 (D) 680

27 當把雙極性接面電晶體（BJT）的基極摻雜濃度加高時，其小信號模型中的那些參數值不會上升？ (A)C_π（射極基極接面電容） (B)r₀（射極集極輸出電阻） (C)g_m（轉導） (D)r_e（射極電阻）

28 若雙極性接面電晶體（BJT）之I_C < βI_B，則該BJT工作於何種模式？ (A)作用模式（Active Mode） (B)截止模式（Cut-off Mode） (C)飽和模式（Saturation Mode） (D)無法判斷

29 如下圖所示電路，其所執行邏輯函數何者正確？

(A)A=0，B=0；V_O=V_DD (B)A=0，B=V_DD；V_O=V_DD (C)A=V_DD，B=0；V_O=V_DD (D)A=V_DD，B=V_DD；V_O=V_DD

30 如下圖之電路中，放大器之飽和電壓為±10 V，R₁=1 kΩ，R₂=4 kΩ，則下列何者正確？ (A)V_A最大值為 2 V (B)V_A最小值為-10 V (C)V_o/V_A=4 (D)R₂降低則輸出訊號頻率增大

31 採用電阻－電容耦合的電晶體放大器，其影響高頻響應最主要的因素為何？ (A)電晶體各極之間的寄生電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的耐壓 (D)電晶體的額定電流

32 有一型式未知的 MOSFET 元件，指定其電壓參考極性與電流參考方向如圖 1 所示，今獲悉其電流－電壓特性曲線（I-V curve）如圖 2 所示。則此元件之型式為何？

(A)空乏型（Depletion-type）p 通道 (B)增強型（Enhancement-type）n 通道 (C)空乏型（Depletion-type）n 通道 (D)增強型（Enhancement-type）p 通道

33 下列那一項電流成分為二極體順偏直流操作時的主要電流？ (A)擴散電流 (B)穿隧電流 (C)位移電流 (D)超導電流

34 對於放大器施予負回授的主要目的為何？ (A)增加穩定度 (B)提高增益 (C)提高功率 (D)產生振盪

35 如下圖為一個三級串接放大電路，若各級之電壓增益各自為 20、50 及 100，則總分貝電壓增益為：

(A) 50 dB (B) 80 dB (C) 100 dB (D) 120 dB

36 電晶體 α 與 β 的關係，下列何者錯誤？

37 在雙極性接面電晶體所組成的放大器中，為何我們習慣用電流源偏壓而不是用電壓源？ (A)節省晶片面積 (B)增加操作速度 (C)偏壓點較穩定 (D)降低功率消耗 5 V A C B

38 如下圖所示的電路（輸入端：A 及 B；輸出端：C），此電路的功能為：

(A) OR (B) AND (C) NAND (D) NOR

39 如下圖所示之共射極（Common Emitter）放大電路，若是已知此電晶體係操作於順向作用區（Forward Active Region），且其厄力電阻（Early Resistance）為r_o ，則其由集極（Collector）所看進去之輸出電阻R_o為何？

(A)R_o＝R_C＋r_o (B)R_o＝R_C-r_o (C)R_o＝R_C//r_o (D)R_o=R_C＋R_B＋r_o

40 BJT 電晶體共射極組態的電路中，其輸入信號和輸出信號的相位差為何？ (A)相同 (B)相差 45 度 (C)相差 90 度 (D)相差 180 度

申論題 (0)