2 在相同的偏壓下，若欲使金氧半場效電晶體（MOSFET）的iD電流增加，可以：
(A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W
(B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W
(C)減少通道長度 L，並增加通道寬度 W
(D)固定通道長度 L，並減少通道寬度 W

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統計： A(6), B(7), C(74), D(3), E(0) #1109543