試題詳解

試卷：100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38816 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷名稱：100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38816

年份：100年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

2 在相同的偏壓下，若欲使金氧半場效電晶體（MOSFET）的i_D電流增加，可以：
(A)增加通道長度 L，但是固定通道寬度 W
(B)增加通道長度 L，並減少通道寬度 W
(C)減少通道長度 L，並增加通道寬度 W
(D)固定通道長度 L，並減少通道寬度 W

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