112年 - 112 初等考試_電子工程：電子學大意#112891

5 圖示之電路，雙極性電晶體 β = 250 ，基-射極導通電壓 V_BE = 0.7 V ，則其集-射極電壓 V_CE 約為何？ (A) 5.52 V (B) 6.52 V (C) 7.52 V (D) 8.52 V

6 有一雙極性接面電晶體的電路符號如圖所示，當在順向主動區操作時，下列何者正確？
(A)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為復合電流 (B)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電子流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流 (C)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為復合電流 (D)主要的射極電流為射極流向基極的擴散電洞流，主要的基極電流為基極流向射極的擴散電子流

 8 如圖所示場效電晶體電路， V_P = -3 V ， I_DSS = 18 mA ， V_GS = -2 V ，直流工作電壓 V_DS 為何？  (A)2V (B)4V (C)6V (D)8V

9 如圖所示，電晶體 Q₁和 Q₂的臨界電壓（threshold voltage）分別為 V_t1 和 V_t2，若 V_t2 變大且 V_t1 保持 不變。 v _I = V_DD 時，則 v₀ 將如何變化？
(A)增大 (B)降低 (C)不變 (D)等於 VDD

11 如圖所示電路，若運算放大器開路電壓增益 A 為有限值，則 R i = v_i / i_i 為何？ (A) R_f /(1+A) (B) R_f (C) - R_f (D) R_f /(1+1/A)

13 如圖所示電路，輸入電壓 V_i 為直流時， V₀ / V_i 為何？
(A) - R₂/R₁ (B)0 (C) 1+ R₂/R₁ (D)無窮大

14 如圖所示電路，若不考慮稽納二極體（Zener Diode）的電阻、且 V_Z = 5 V ，則稽納二極體的消耗功率為何？
(A) 350 mW (B) 375 mW (C) 400 mW (D) 425 mW

15 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，輸入電壓 V_in 為正弦波，頻率為 60 Hz，峰值電壓為 110 V，電容輸入式整流濾波器之漣波因數（Ripple Factor）約為何？ (A) 2.27% (B) 4.54% (C) 1.27% (D) 1.12%

17 圖為全波兩倍倍壓電路，二極體視為理想，當輸入 Vin 進入下半負週期時，二極體（D1）之逆向峰值電壓（PIV）約為何？
(A) 120 V (B) 170 V (C) 311 V (D) 85 V

19 如圖為一截波電路， Vin = 30sin(ωt)V ，二極體導通時電壓為 0.7 V，下列何者為其輸出波形？ (A) (B) (C) (D)

20 如圖所示電路，若可忽略二極體 D 的導通電壓，且輸入電壓 v_i = 7sin(377t)V ， R = 20 Ω ，下列敘述何者正確？
(A)輸出電壓 v_o 的最大值為 7 V (B)輸出電壓 v_o 的最大值為 3 V (C)輸出電壓 v_o 的最小值為 - 7 V (D)輸出電壓 v_o 的最小值為 0 V

21 如電路圖，下列敘述何者錯誤？
(A) RC 時間常數無窮大時，可作為上箝位電路 (B) RC 時間常數無窮大時，Vdc 大小會影響到電容 C 的兩端電壓差 (C) RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C 的漣波電壓振幅不隨時間常數改變 (D) RC 時間常數小於輸入波形之週期時，電容 C 的跨壓 DC 值會隨時間常數改變

23 有一如圖之 BJT 放大器，若 BJT 之 V_CE = 1 V ，則有關對其輸出迴路特性之敘述，下列何者錯誤？ (A)其電晶體輸出特性（ I_C -V_CE ）的直流負載線電流端截點為 I_C = 5 mA (B)其電晶體輸出特性（ I_C -V_CE ）的直流負載線電壓端截點為 V_CE = 1 V (C)其 C-E 迴路之靜態電流為 I_CQ = 4.5 mA (D)此 BJT 應該是操作於主動區（active region）

24 圖示電路中場效電晶體之 V_t = 1 V 、 μ_n C_ox (W/L) = 100 mA/V² ，若電晶體在飽和區工作，則電阻 R_D 的 最大值為何？
(A) 6 kΩ (B) 5 kΩ (C) 4 kΩ (D) 3 kΩ

25 圖示電路，下列何電阻提供直流偏壓的負回授？
(A) R_E (B) R_C (C) R_B1 (D) R_B2

26 如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 I_DSS = 1 mA 、 V_GS(TH) = -4 V ，若閘極電流 I_G 可忽略不計，汲 極電流與汲-源極電壓（ I_D ， V_DS ）值為何？
(A)（1.5 mA，9 V） (B)（2.25 mA，7.5 V） (C)（3 mA，6 V） (D)（3.5 mA，5 V）

30 圖中放大器電路中 ， v_sig 的直流成分為零 ， 電晶體 的 β = 99 、 V_A = ∞ 、 V_EB = 0.7 V ， 熱電壓 V_T = 0.025 V ，放大器電壓增益 v_o / v_sig 的最接近值為何？ (A) 0.75 (B) 0.85 (C) 0.95 (D) 0.99

31 圖中放大器電路中 ， v_sig 的直流成分為零 ， 電晶體的 β = 99 、 V_A = ∞ 、 V_EB = 0.7 V ， 熱電壓 V_T = 0.025 V ，放大器輸出電阻 R_out 的最接近值為何？
(A) 100 Ω (B) 150 Ω (C) 200 Ω (D) 300 Ω

33 已知 Q₁ 之 β₁ = 100 ， r_π1 = 2.34 kΩ ， Q₂ 之 β₂ = 100 ， r_π2 = 2.06 kΩ ，則該電路之電壓增益約為何？
(A) - 8290 (B) - 3899 (C) 3899 (D) 8290

34 如圖， Q₁ 的β₁= 50 ， Q₂ 的 β₂ = 100 ，兩個電晶體的V_BE = 0.7 V 且 r_o 都不計，熱電壓（thermal voltage） V_T 都是 25 mV；若輸出接一電阻 R_L = 1 kΩ ，求電壓增益 v_o /v_B2 約為何？
(A) 1.005 V/V (B) 0.850 V/V (C) 0.900 V/V (D) 0.995 V/V

35 圖示變壓器耦合串級放大器中， N₁ ： N₂ = 2 ：1、 N₃ ： N₄ = 5 ：1， A _v1 = 100 、 A _v2 = 50 、 A_v3 = 20 ， 此電路之總電壓增益為何？
(A) 60 dB (B) 80 dB (C) 100 dB (D) 120 dB

37 如下圖所示，下列敘述何者錯誤？
(A)此為韋恩電橋振盪電路 (B)可以應用於產生弦波訊號 (C)可以藉由 R 和 C 的組合調整輸出訊號的頻率 (D)可以藉由 R₁ 和 R₂ 的組合調整輸出訊號的振幅

38 如圖為電晶體單穩態多諧振盪器，觸發信號由Q₁的基極注入。在未觸發前，電容器C₁上的電壓 E_o約為下列何者？
(A) V_CC (B) V_CC - V_B2 (C) V_CC - V_RC1 - V_B2 (D) V_CC - V_RB - V_C1

39 圖示為一施加負偏壓之反相施密特觸發器，OPA 之輸出飽和電壓為±10V，若其遲滯電壓（hysteresis voltage） V_H 為 4 V，則該電路之 R₁ 電阻值為何？
(A) 5 kΩ (B) 10 kΩ (C) 20 kΩ (D) 80 kΩ