26 如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 I_DSS = 1 mA 、 V_GS(TH) = -4 V ，若閘極電流 I_G 可忽略不計，汲極電流與汲-源極電壓（ I_D ， V_DS）值為何？

(A)（1.5 mA，9 V）
(B)（2.25 mA，7.5 V）
(C)（3 mA，6 V）
(D)（3.5 mA，5 V）

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統計： A(6), B(35), C(12), D(0), E(0) #3049725

電子荔枝

B1 · 2023/01/11

#5697655

V_G= 12x1/(5+1)= 2
I_D= I_DSS(1- V_GD/V_TH)²= 1[1-2/(-4)]²= 2.25 mA
V_DS= 12-(2k)(2.25m)= 7.5 V

邵恆

2024/01/14

私人筆記#5705805

未解鎖

初等/五等/佐級◆電子學大意#371...

(共 1208 字，隱藏中）

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26 如圖所示電路，已知空乏型 MOSFET 的 IDSS = 1 mA 、 VGS(TH) = -4 V ，若閘極電流 IG 可忽略不計，汲 極電流與汲-源極電壓（ ID ， VDS ）值為何？ (A)（1.5 mA，9 V） (B)（2.25 mA，7.5 V） (C)（3 mA，6 V） (D)（3.5 mA，5 V）