114年 - 114 初等考試_電子工程：電子學大意#124880

1 有關金氧半場效電晶體，在線性近似條件下，若元件的電場固定，當元件尺寸縮小 K 倍，則操作電壓應為何？ (A)增大為 K 倍 (B)降低為(1/K)倍 (C)增大為 K² 倍 (D)降低為(1/K)² 倍

2 假設矽二極體在 25℃時，其順向跨壓為 0.7 V，則當溫度上升至 65℃時，其順向跨壓約為何？ (A) 0.75 V (B) 0.7 V (C) 0.65 V (D) 0.6 V

3 磷化鎵（GaP）發光二極體（LED）發光的導通電流為 20 mA，導通電壓為 2.2 V，電路如圖所示，要使此 LED 發光，電源應至少提供多少功率？
(A) 44 mW (B) 46 mW (C) 60 mW (D) 90 mW

4 純矽半導體中摻雜下列何種元素組合活化後，其少數載子先後分別為電洞、電子？ (A)硼、磷 (B)銦、磷 (C)砷、鎵 (D)鎵、銻

5 有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？ (A)信號由集極輸入 (B)輸入電阻高 (C)射極電壓的平均值必為 0 V (D)又稱為集極隨耦器

6 一 PNP 雙極性接面電晶體，射-基極電壓= 0.6 V 時集極電流= 0.01 mA，熱電壓= 0.0259 V。當= 0.75 V 時約為何？ (A) 0.33 mA (B) 0.63 mA (C) 3.28 mA (D) 6.28 mA

7 如圖所示 JFET 電路，電晶體工作於夾止飽和區，= -3 V，= 18 mA，= -2 V，為何？
(A) 1.9 V (B) 9.2 V (C) 11 V (D) 15 V

8 空乏型 MOSFET 不適合用於下列何者？ (A)線性放大器 (B)壓控電感 (C)壓控電阻 (D)壓控電容

9 有關絕緣閘極雙極性電晶體（IGBT）之特性，下列何者正確？ (A)輸入與輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似 (B)輸入與輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (C)輸入特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似、輸出特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似 (D)輸入特性與雙極性接面電晶體（BJT）相似、輸出特性與金氧半場效電晶體（MOSFET）相似

10 如圖所示電路，運算放大器開路電壓增益 A 為有限值，互轉阻值（Transresistance）為何？
(A) (B)(C)(D)

11 有關負回授結構之運算放大器，下列敘述何者錯誤？ (A)可控制電壓增益，呈現線性放大器的特性 (B)部分輸出回授至反相輸入端 (C)產生振盪輸出 (D)增加頻寬

12 如圖所示電路，= 7 V，= 7 V，PNP 雙極性接面電晶體工作於何區？
(A)截止區 (B)飽和區 (C)主動區 (D)歐姆區

13 當 15 Hz 正弦波電壓輸入半波整流器，則輸出電壓的頻率為下列何者？ (A) 7.5 Hz (B) 15 Hz (C) 30 Hz (D) 435 Hz

14 在全波整流器中，流經負載的直流電流等於流過每一個二極體直流電流的幾倍？ (A)1倍 (B)2倍 (C) 0.5 倍 (D)4倍

15 一個稽納二極體（Zener Diode）在 40℃時的最大功率額定值為 500 mW，衰減因數為 4 mW/℃。則稽納二極體在 90℃時消耗的最大功率值為何？ (A) 100 mW (B) 150 mW (C) 200 mW (D) 300 mW

16 圖為全波橋式整流器，如果二極體視為理想。流過 1 kΩ 的電流約為何？
(A) 12 mA (B) 16.9 mA (C) 24 mA (D) 7.6 mA

17 如圖所示電路，下列何者為全波整流器？
(A)c與d (B)a與b (C)a與d (D)c與b

18 有一整流濾波器的直流濾波電壓為 20 V，漣波電壓的有效值為 0.4 V，則漣波因數為何？ (A) 1% (B) 2% (C) 3% (D) 4%

19 如圖所示電路，假設均為理想二極體，下列敘述何者錯誤？
(A)電容 C₁ 兩端的電壓為 Vm (B)電容 C₂ 兩端的電壓為 2 Vm (C)電容 C₃ 兩端的電壓為 3 Vm (D)電容 C₄ 兩端的電壓為 2 Vm

20 下圖為何種電路？
(A)並聯二極體截波 (B)串聯二極體截波 (C)上箝位器 (D)下箝位器

21 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V，則輸出正、負半週波形之峰值電壓分別為何？
(A) 30 V、-30 V (B) 29.3 V、-29.3 V (C) 0.7 V、-0.7 V (D)皆為 0 V

22 如圖所示電路，假設二極體導通電壓為 0.7 V 及 RC 時間常數遠大於輸入訊號週期，輸入正弦波電壓之均方根（root mean square）值為 100 V，輸出波形直流成分的電壓值為何？
(A) 142 V (B) 140.7 V (C) 100 V (D) 99.3 V

23 圖示電路，= 10 V，= = 100 kΩ，Rc = 5 kΩ，= 2 kΩ，電晶體電流放大率 β = 100， = 0.7 V，則此電晶體的工作區為何？
(A)截止區（Cutoff region） (B)主動區（Active region） (C)飽和區（Saturation region） (D)逆向主動區（Reverse Active region）

24 有關溫度對 BJT 電路之影響，下列敘述何者錯誤？ (A)電流增益 β 值會隨溫度上升而變小，但是與集極電流 Ic 無關 (B)基極-射極電壓會隨溫度上升而下降 (C)逆向飽和電流會隨溫度上升而增加 (D)集極電流 Ic 增加時，會使集極接面溫度上升

25 有一如圖之 BJT 電路，若= 0.7 V，= 4 V，β = 99，則 R 應為何？
(A) 1 kΩ (B) 10 kΩ (C) 100 kΩ (D) 165 kΩ

26 使用一接面場效電晶體設計如圖電路，此電晶體的= 9 mA，= -3 V，其汲極電流為何？
(A) 1 mA (B) 2 mA (C) 3 mA (D) 4 mA

27 當考慮雙極性接面電晶體的爾利效應（Early effect）時，需在小信號模型中加入下列何種電阻？ (A)(B) (C) (D)

28 有一如圖之 BJT 電路，若之阻抗可忽略，= 0.7 V，= 25 mV，β = 100，則約為何？
(A)0Ω (B)26.8 Ω (C)10 kΩ (D)無窮大阻抗

29 圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、= 100 V，熱電壓= 0.025 V，放大器的輸入電阻約為何？
(A) 2 kΩ (B) 2.5 kΩ (C) 12 kΩ (D) 12.5 kΩ

30 圖中放大器電路中電晶體的 β = 99、= 100 V，放大器輸出電阻的最接近值為何？
(A) 2 kΩ (B) 5 kΩ (C) 9 kΩ (D) 10 kΩ

31 圖中放大器電路中電晶體的= 1 V，= ∞ V，= 2 mA/V²，放大器的電壓增益 vo /vi 的最接近值為何？
(A) 5 V/V (B) 10 V/V (C) 20 V/V (D) 40 V/V

32 圖示為電晶體放大器的小訊號交流等效電路，其中 vi 為輸入訊號、v_o為輸出訊號，則此放大器主要功用為何？
(A)電壓放大用 (B)截波器 (C)緩衝器 (D)濾波器

33 如圖為一串級放大電路，已知 Q₁ 和 Q₂ 之參數 β 均為 120，且= 5.45 kΩ，= 0.642 kΩ。電路中的 R₁ = 67.3 kΩ，R₂ = 12.7 kΩ，R₃= 15 kΩ，R₄ = 45 kΩ，= 10 kΩ，= 2 kΩ，= 1.6 kΩ， = 250 Ω。此電路之電壓放大率 Vo /Vi 約為何？
(A) -195 (B) -95 (C) 95 (D) 195