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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38816
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6 如下圖中,R
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A(19), B(10), C(11), D(0), E(0) #1109547
詳解 (共 2 筆)
Kuyroiume
B1 · 2021/03/19
#4604007
本圖為負電阻產生電路。Ri=-R/2
(共 20 字,隱藏中)
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/30
#7175876
這是一道關於運算放大器(Op-Amp)電...
(共 2179 字,隱藏中)
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其他試題
2 在相同的偏壓下,若欲使金氧半場效電晶體(MOSFET)的iD電流增加,可以: (A)增加通道長度 L,但是固定通道寬度 W (B)增加通道長度 L,並減少通道寬度 W (C)減少通道長度 L,並增加通道寬度 W (D)固定通道長度 L,並減少通道寬度 W
#1109543
3 如下圖所示之電路中,若二極體之順向電阻(Forward Resistance)為 30 Ω,切入電壓(Cut-in Voltage) 為 0.7 V,而外接電阻R=0.2 kΩ,外接電壓源VDD=3 V,則跨在二極體之輸出電壓VD為何? (A) 1 V (B) 1.5 V (C) 2 V (D) 2.5 V
#1109544
4 有一運算放大器電路如下圖所示,其電源接±15 V,設VI=2 V,則輸出Vo為: (A) -20 V (B) +20 V (C) -15 V (D) +15 V
#1109545
5 差動放大器(Differential Amplifier)具有下列何種性質? (A)高共模放大率(Common-Mode Gain) (B)低差模放大率(Differential Gain) (C)高共模互斥比(CMRR) (D)不能抑制輸入共模信號(Common-Mode Signal)
#1109546
7 在下圖的理想放大電路中,若V1=3 V,V2=2 V,V3=-4V,則Vo為: (A) -7 V (B) -9 V (C) -8 V (D) -6 V
#1109548
8 要獲致高電流增益(Current Gain)之雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor),則下列何者 為正確? (A)基極(base)很薄且為輕度摻雜(Lightly Doped) (B)基極(base)很厚且為輕度摻雜(Lightly Doped) (C)基極(base)很薄且為重度摻雜(Heavily Doped) (D)基極(base)很厚且為重度摻雜(Heavily Doped)
#1109549
9 關於雙極性接面電晶體(BJT)飽和時的敘述何者正確? (A)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓 (B)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為逆向偏壓 (C)射極基極介面(EBJ)為逆向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓 (D)射極基極介面(EBJ)為逆向偏壓,集極基極介面(CBJ)為逆向偏壓
#1109550
10 如下左圖所示之放大器電路,其交流等效電路如右圖所示,其中Ri為: (A) R1+ R2 (B) (C) (D)以上皆非
#1109551
11 有關蕭特基二極體(Schottky-Barrier Diode)與 PN 接合二極體(PN Junction Diode)工作原理比較的 敘述,下列何者正確? (A) PN 接合二極體導通時傳導的載子是多數載子(Majority Carriers) (B) PN 接合二極體導通的順向啟動電壓比較低 (C)蕭特基二極體傳導機制沒有少數載子儲存(Minority-Carrier Storage)問題 (D)蕭特基二極體導通與關閉的切換速度較慢
#1109552
12 如下圖中之電路將可得到那些功能? (A)微分 (B)積分 (C)記憶 (D)濾波
#1109553