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100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38816
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6 如下圖中,R
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A(19), B(10), C(11), D(0), E(0) #1109547
詳解 (共 2 筆)
Kuyroiume
B1 · 2021/03/19
#4604007
本圖為負電阻產生電路。Ri=-R/2
(共 20 字,隱藏中)
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MoAI - 您的AI助手
B2 · 2025/11/30
#7175876
這是一道關於運算放大器(Op-Amp)電...
(共 2179 字,隱藏中)
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相關試題
7 在下圖的理想放大電路中,若V1=3 V,V2=2 V,V3=-4V,則Vo為: (A) -7 V (B) -9 V (C) -8 V (D) -6 V
#1109548
8 要獲致高電流增益(Current Gain)之雙極性接面電晶體(Bipolar Junction Transistor),則下列何者 為正確? (A)基極(base)很薄且為輕度摻雜(Lightly Doped) (B)基極(base)很厚且為輕度摻雜(Lightly Doped) (C)基極(base)很薄且為重度摻雜(Heavily Doped) (D)基極(base)很厚且為重度摻雜(Heavily Doped)
#1109549
9 關於雙極性接面電晶體(BJT)飽和時的敘述何者正確? (A)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓 (B)射極基極介面(EBJ)為順向偏壓,集極基極介面(CBJ)為逆向偏壓 (C)射極基極介面(EBJ)為逆向偏壓,集極基極介面(CBJ)為順向偏壓 (D)射極基極介面(EBJ)為逆向偏壓,集極基極介面(CBJ)為逆向偏壓
#1109550
10 如下左圖所示之放大器電路,其交流等效電路如右圖所示,其中Ri為: (A) R1+ R2 (B) (C) (D)以上皆非
#1109551
11 有關蕭特基二極體(Schottky-Barrier Diode)與 PN 接合二極體(PN Junction Diode)工作原理比較的 敘述,下列何者正確? (A) PN 接合二極體導通時傳導的載子是多數載子(Majority Carriers) (B) PN 接合二極體導通的順向啟動電壓比較低 (C)蕭特基二極體傳導機制沒有少數載子儲存(Minority-Carrier Storage)問題 (D)蕭特基二極體導通與關閉的切換速度較慢
#1109552
12 如下圖中之電路將可得到那些功能? (A)微分 (B)積分 (C)記憶 (D)濾波
#1109553
13 MOSFET 可程式化(Erasable)的 Read-Only-Memory(ROM),最主要的工作原理為何? (A)熱電子被陷於閘極氧化層,無法瞬間排出 (B)熱電子被陷於矽晶基板,無法瞬間排出 (C)熱電子被陷於汲極歐姆接觸,無法瞬間排出 (D)熱電子被陷於源極歐姆接觸,無法瞬間排出
#1109554
14 二個輸入的 NAND 閘,當輸入其中一個為 1,另一個為 0,則輸出為何? (A) 0 (B) 1 (C) 2 (D) 3
#1109555
15 如下圖所示電路,若R1 =2 kΩ,R2=2 kΩ,C1=10 μF,則-3 dB之低頻截止頻率約為: (A)16 Hz (B) 8 Hz (C) 4 Hz (D) 2 Hz
#1109556
16 如下圖所示之數位電路由三個JK正反器(JK Flip-Flop)及一個AND邏輯閘組成,其中VCC為 5 V,Q0為 低位元,Q2為高位元,則此數位電路為: (A)具左移功能之三位元移位器 (B)具右移功能之三位元移位器 (C)具上數功能之三位元計數器 (D)具下數功能之三位元計數器
#1109557
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