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初等/五等/佐級◆電子學大意
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100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組:電子學大意#38816
> 試題詳解
21 一個I
DSS
=6 mA,V
p
=-6 V的JFET,當其工作於V
GS
=-3 V時,它的互導g
m
為: (提示:I
D
=I
DSS
[
)
(A) 0.25 mS
(B) 0.5 mS
(C) 1 mS
(D) 2 mS
答案:
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統計:
A(4), B(6), C(32), D(4), E(0) #1109562
詳解 (共 3 筆)
sv(邀請碼232196)
B3 · 2017/04/24
#2151585
gm=2K(Vgs-Vt)
(共 15 字,隱藏中)
前往觀看
1
1
李 德
B1 · 2016/04/29
#1326591
Vgs=gm*Id
1
2
張育騰(已考上初、普、高考)
B2 · 2016/09/08
#1461099
這公式好像有錯
0
1
相關試題
22 今有一BJT放大器電路如下圖所示,假設 C1、C2、CE三個電容值趨近於無窮大,今欲分析此電路對應 的小信號等效電路並以π型等效電路模型表示BJT,則最恰當之等效電路為:
#1109563
23 有一橫列位址解碼電路如下圖所示,圖中顯示輸出信號線WN所對應的交換電路陣列(Switching Array)的細部電路連線,CLKP VDD CLKP WN-1 VDD CLKP WN GND A2 A2 A1 A1 A0 A0 Switching Array Row Address 預先使所有輸出信號線充電至高準位,再由位址匯流排決定啟動那一 條輸出線,則下圖電路之輸出信號WN所對應的位址(二進位碼)為何? (A)A2A1A0=100 (B)A2A1A0=001 (C)A2A1A0=101 (D)A2A1A0=010
#1109564
24 若一矽塊之受體濃度為 1×1015/cm3 ,本質濃度為ni=1.5×1010/cm3 ,μn=1500 cm2 /v-sec,μp=475 cm2 /v-sec, 則此一矽塊之導電率約為: (A) 7.6×10-2 (Ω-cm)-1 (B) 2.5×10-2 (Ω-cm)-1 (C) 4.8×10-2 (Ω-cm)-1 (D) 9.3×10-2 (Ω-cm)-1
#1109565
25 下列方法何者不能有效降低二極體中的擴散電容? (A)減少元件面積 (B)減少載子生命週期 (C)增加空乏區厚度 (D)使 p-n 摻雜區厚度小於電子電洞的擴散長度
#1109566
26 如下圖所示之差動放大器,若電晶體β=200、VBE=0.7 V、V1=V2=0 V時,則其CMRR值為何? (A) 140 (B) 200 (C) 570 (D) 680
#1109567
27 當把雙極性接面電晶體(BJT)的基極摻雜濃度加高時,其小信號模型中的那些參數值不會上升? (A)Cπ(射極基極接面電容) (B)r0(射極集極輸出電阻) (C)gm(轉導) (D)re(射極電阻)
#1109568
28 若雙極性接面電晶體(BJT)之IC < βIB,則該BJT工作於何種模式? (A)作用模式(Active Mode) (B)截止模式(Cut-off Mode) (C)飽和模式(Saturation Mode) (D)無法判斷
#1109569
29 如下圖所示電路,其所執行邏輯函數何者正確? (A)A=0,B=0;VO=VDD (B)A=0,B=VDD;VO=VDD (C)A=VDD,B=0;VO=VDD (D)A=VDD,B=VDD;VO=VDD
#1109570
30 如下圖之電路中,放大器之飽和電壓為±10 V,R1=1 kΩ,R2=4 kΩ,則下列何者正確? (A)VA最大值為 2 V (B)VA最小值為-10 V (C)Vo/VA=4 (D)R2降低則輸出訊號頻率增大
#1109571
31 採用電阻-電容耦合的電晶體放大器,其影響高頻響應最主要的因素為何? (A)電晶體各極之間的寄生電容 (B)耦合電容 (C)電晶體的耐壓 (D)電晶體的額定電流
#1109572
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