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試題詳解

試卷：100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38816 | 科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

試卷資訊

試卷名稱：100年 - 100 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38816

年份：100年

科目：初等/五等/佐級◆電子學大意

1 對操作於飽和區（Saturation Region）之 n 通道金氧半場效電晶體（N-MOSFET）的敘述，下列何者 正確？
 
(A)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於汲極源極電壓差VDS 

(B)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極源極電壓差VGS
 
(C)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於閘極之寬長比（W/L） 

(D)汲極電流（Drain Current）, ID , 係正比於操作溫度T
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