1. 有關半導體特性的敘述，下列何者正確？
(A)當加逆向偏壓於PN接面時，空乏區會變窄
(B)在本質半導體摻雜五價元素，可形成N型半導體
(C)在純質矽(silicon)晶片內摻入磷(P)後可產生P型半導體
(D) N型半導體中的多數載子為電洞

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	蘇su 小二下 (2019/01/29) (A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

蘇su 小二下 (2019/01/29)

(A)外接一個PN接面的"逆向偏壓"→N型的電子跑到外加電場的+端，P型的電洞跑到外加電場的-端→在PN接面附近：N型的留下更多(比起沒加電場時)正離子，P型留下更多負離子 →空乏區變大→(A)錯誤

(B)(C)參雜5價元素(磷、銻等):N型，3價元素(硼、銦等):P型→(B)正確、(C)錯誤

(D)N型多數載子為電子，原因如上:參雜5價元素

詳情可參考電子學課本或WIKI百科，https://zh.wikipedia.org/wiki/PN结

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