在矽二極體的逆向偏壓下,飽和電流(也稱為逆向電流)Io的變化與溫度有關。對於矽二極體,每提高10°C,飽和電流將大約增加一倍。這是因為二極體的飽和電流是由二極體內的擴散電流決定的,而這個擴散電流會隨著溫度的升高而增大。在這個問題中,初始溫度為25°C,飽和電流為2 μA,而最終溫度為55°C。這意味著溫度提高了30°C,或者說提高了3個10°C。因此,飽和電流將會增加到原來的2的3次方倍,也就是8倍。所以,最終的飽和電流Io將為 2 μA * 8 = 16 μA。所以,答案是 (B) 16 μA。
10 若有一矽二極體在逆向偏壓且在溫度為 25℃時,飽和電流(saturatio..-阿摩線上測驗