【問卷-英文學習功能需求】只要填寫就能獲得500Y，結束時間 2024/06/03 12:00。前往查看

28 如圖所示之電路，若電晶體操作在飽和區（Saturation Region），下列何種調整方式使電晶體無法進入主動區（Forward Active Region）？
(A)提高 R1
(B)提高 R2
(C)提高 Vcc
(D)減低 Vb

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難度： 適中

	4F 劉政文高一上 (2018/04/07) 回樓上那我R2提高不也可以嗎? 檢舉
	5F Hodo (Hodo) 小一下 (2018/04/18) IB和R2反比 IC↓IB↓R2↑ 檢舉
	6F 成大(普考電子已上岸) 大二下 (2019/10/16) 主動區的條件 Vce>0.2 Ib=Vb-0.7/R2(1+B) ic=ib*B Vc=Vcc-IcR1 只要減低Vb 提高R2 就能使ib變小使ic也變小依照這上面公式來看ic變小Vc也會變大Vce>0.2就容易而提高Vcc要使Vc高更快 VCE>0.2 更容易但是答案A說提高R1 Vc=Vcc-IcR1 Vc只會變更低當然Vce>0.2就更困難~ ~ 檢舉

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