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上一題
78 高能電子之增建區劑量不適合以那一方法測量?
(A)平行板游離腔
(B)外插式游離腔
(C)薄片型 TLD
(D)圓柱型游離腔


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 【站僕】摩檸Morning:有沒有達人來解釋一下?
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Goal 國二下 (2020/08/17):

高能電子的增建區很短,所以說如果要測量增建區劑量,所使用的detectorzresolution越小越好。

A.    平行板游離腔:兩電極板間的距離約1~2mm


B.外插式游離腔:其設計跟平行板游離腔相似,不同處是兩電極板間可移動減短距離,因此可以測量出多點的劑量,最後可以外差的方法得到距離為0處的劑量。外插式游離腔的zresolution比平行板游離腔來得好。

C.薄片型TLD:其厚度約為0.2~0.3mm,其zresolution4個選項中最好的。

D.圓柱型游離腔:直徑約為6~7mmzresolution最差,最不適合測量高能電子之增建區劑量。

 



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78 高能電子之增建區劑量不適合以那一方法測量? (A)平行板游離腔 (B)外..-阿摩線上測驗