17 如圖之MOS差動放大器（differential amplifier），Q₁=Q₂，其臨界電壓（threshold voltage）V_t=0.5 V，爾利電壓（Early voltage）V_A→∞。當V_G1=V_G2=0 時，若電晶體工作於飽和模式（saturation mode），其汲極電流ID與閘源電壓V_GS的關係為I_D=2(V_GS-V_t)²(mA)。則當V_G1=V_G2=0 時，R_D之最大值可為多大，而仍可維持電晶體工作於飽和模式？

(A)3 kΩ
(B)4 kΩ
(C)5 kΩ
(D)6 kΩ

初等/五等/佐級◆電子學大意- 101 年 - 101 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#37197

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難度： 適中

討論
私人筆記( 0 )

	1F Ma 小四上 (2017/05/23) 求解~~~大大檢舉
	2F declin7912(鐵特高二下 (2017/05/29) VG1=0V 飽和區 VG1D1<=Vt 我們可以知道 0-(2-id1*RD)<=0.5 id1=0.5I=0.5m 整理 0.5mRD<=2.5 RD<= 5K 最大值5K歐姆檢舉
	3F Ma 小四上 (2017/05/30) 感謝!! 檢舉

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