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上一題
36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者?
(A)載子濃度非均勻分布
(B)有外加電場施加於半導體
(C)半導體內存在有電位的變化
(D)半導體溫度的變化


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難度: 簡單
1F
Rascal 大三下 (2017/05/04)

原選項

(A)載子濃度非均勻分布 
(B)有外加電場施加於半導體 
(C)半導體內存在有電位的變化 
(D)半導體溫度的變化 
(A)O
(B)X

應修正為

(A)載子濃度非均勻分布 
(B)有外加電場施加於半導體 
(C)半導體內存在有電位的變化 
(D)半導體溫度的變化

2F
【站僕】摩檸Morning 國三下 (2017/05/05)
原本題目:

36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者? (A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體 (C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化 (A)O(B)X

修改成為

36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者? (A)載子濃度非均勻分布 (B)有外加電場施加於半導體 (C)半導體內存在有電位的變化 (D)半導體溫度的變化

36 在半導體中載子的擴散電流主要肇因於下列何者? (A)載子濃度非均勻分布 (..-阿摩線上測驗