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5 圖為含主動負載的差分對（Differential Pair with Active Load）。其中C_m為Q₃、Q₄的寄生電容。設Q₃的跨導（Transconductance）為g_m3。則Cm對此電路電壓增益的頻率響應的影響為：

(A)只產生位於g_m3/C_m的極點（Pole）

(B)產生位於g_m3/C_m的極點（Pole）和位於 2g_m3/C_m的零點（Zero）

(C)產生位於g_m3/C_m的極點（Pole）和位於g_m3/2C_m的零點（Zero）

(D)只產生位於 2g_m3/C_m的零點（Zero）

初等/五等/佐級◆電子學大意- 98 年 - 98 國家安全情報特種考試_五等_電子組：電子學大意#38822

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1F

張育騰(已考上初、普、高考大三下 (2016/10/27)
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