76. 有關金氧半場效應電晶體(MOSFET)特性敘述，下列何者正確？
(A)N 通道增強型之閘源極電壓(VGS)需大於臨界電壓(VT)才能導通電流
(B)閘源極電壓(VGS)為零時，增強型比起空乏型結構上少了通道
(C)P 通道增強型之臨界電壓(VT)正值
(D)N 通道空乏型之夾止電壓(VP)為負值。

技檢◆電力電子-乙級- 105 年 - 11600 電力電子乙級工作項目 05：電子學#38925

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