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化學位移總整理

(1)       通則：1烷，2酮(C=O上接CH3、CH2、CH)，2.5炔，3~4醇醚鹵，5~6烯(烯上H)，7~8苯(苯上H)，9醛(醛上H)，10酸(酸上H)

口訣：1晚2人同行2.5千加酒迷擄34千56點吸78點到苯壘9點醛給他10點痠痛

(2)       烷的細分：烯上接CH3為1.7，苯上接CH3為2.3，N上接CH3為2.4

口訣：1晚一次洗兩個笨蛋

(3)       鹵的比較：電負度越大越易拉電子，所以使H的遮蔽變小，化學位移變大

例如：H的化學位移CH3-F > CH3-Cl

(4)       苯上鄰間對的判別：影響程度為鄰位>對位>間位，推電子基使會化學位移下降(把電子推給我所以我變高遮蔽低化學位移)，拉電子基使會化學位移上升(鹵例外，鹵是拉電子...

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化學位移總整理

(1)       通則：1烷，2酮(C=O上接CH3、CH2、CH)，2.5炔，3~4醇醚鹵，5~6烯(烯上H)，7~8苯(苯上H)，9醛(醛上H)，10酸(酸上H)

口訣：1晚2人同行2.5千加酒迷擄34千56點吸78點到苯壘9點醛給他10點痠痛

(2)       烷的細分：烯上接CH3為1.7，苯上接CH3為2.3，N上接CH3為2.4

口訣：1晚一次洗兩個笨蛋

(3)       鹵的比較：電負度越大越易拉電子，所以使H的遮蔽變小，化學位移變大

例如：H的化學位移CH3-F > CH3-Cl

(4)       苯上鄰間對的判別：影響程度為鄰位>對位>間位，推電子基使會化學位移下降(把電子推給我所以我變高遮蔽低化學位移)，拉電子基使會化學位移上升(鹵例外，鹵是拉電子基但會使化學位移下降)

推電子基(→↓)：-NH2、-NR2、-N-CO-R、-OH、-OR、-O-CO-R (R=C)

拉電子基(→↑)：-N接非H非C、-CO-任何、陽離子、鹵素(→↓)

 

1. 化學位移

(1) H譜化學位移範圍：-1～15 ppm、C譜化學位移範圍：-10～220 ppm

    （C譜範圍大、靈敏度極差、訊號的重疊機會較小、定量的能力較差）

(2) 除了酮是C=O接-CH3、-CH2、-CH，其他皆是接-H的化學位移

     如果是接-CH3化學位移幾乎都在2ppm左右

1
２2.53-45-67-8910烷

酮

炔(≡)
醇(醚鹵)

烯(=)

苯
醛
酸
1晚

3千加酒3-5千
5點開始吸
7-8點到本壘
9點全身

痠痛

2. 推/拉電子基

化學位移基團（強→弱）記法拉電子基

↑變大

-NO2、-COOH、-CO-有雙鍵推電子基↓變小

-NH2、-OH、-OR(-OCH3)、-CH3（弱推電子）、

鹵素（但是化學位移↑，F>Cl）

位置影響鄰>對>間

我把樓上的整理了一下，再把考過的劃記～

有多整理類似考化學位移會...

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1. 化學位移

(1) H譜化學位移範圍：-1～15 ppm、C譜化學位移範圍：-10～220 ppm

    （C譜範圍大、靈敏度極差、訊號的重疊機會較小、定量的能力較差）

(2) 除了酮是C=O接-CH3、-CH2、-CH，其他皆是接-H的化學位移

     如果是接-CH3化學位移幾乎都在2ppm左右

1	２	2.5	3-4	5-6	7-8	9	10
烷	酮	炔(≡)	醇(醚鹵)	烯(=)	苯	醛	酸
1晚		3千	加酒3-5千	5點開始吸	7-8點到本壘	9點全身	痠痛

2. 推/拉電子基

	化學位移	基團（強→弱）	記法
拉電子基	↑變大	-NO2、-COOH、-CO-	有雙鍵
推電子基	↓變小	-NH2、-OH、-OR(-OCH3)、-CH3（弱推電子）、 鹵素（但是化學位移↑，F>Cl）
位置影響	鄰>對>間

我把樓上的整理了一下，再把考過的劃記～

有多整理類似考化學位移會再補上><

比較特別的接-CH3可以參考這題詳解～

39.其中甲基上質子的化學位移（ppm）值落在那一區間？
(A)0～1.5
(B)2～3
(C)5.5～6.5
(D)6.5～8

專技 - 藥物分析與生藥學(包括中藥學)- 101 年 - 101-2 專技高考_藥師：藥物分析與生藥學（包括中藥學）#9920