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初等/五等/佐級◆電子學大意題庫 下載題庫

17 在室溫下，考慮一pn接面矽半導體，p側之電子濃度為 1×10⁷ cm^-3，n側之電洞濃度為 1×10⁵ cm^-3，當施加一逆向偏壓時，空乏區之分布應為下列何者？
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區

初等/五等/佐級◆電子學大意- 100 年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程：電子學大意#45324

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	ccgc 國二上 (2019/04/29) 要把P側換成電洞濃度 NA=Ni2/ (1 ☆ 107 ),... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

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