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上一題
14 下列有關場效應電晶體臨限電壓（threshold voltage）Vt的敘述，何者正確？
 
(A)n通道空乏型（depletion type）及n通道增強型（enhancement type）的Vt都為正值
 
(B)n通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值
 
(C)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為負值
 
(D)p通道空乏型及n通道增強型的Vt都為正值

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 【站僕】摩檸Morning：有沒有達人來解釋一下?
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ng10538 小一下 (2020/02/23):

P通道空乏型的Vgs設計為正，相對應需大於的Vt也為正

N通道增強型由於為反轉層，而N通道空乏型的Vt為負，但因為N通道增強型設計為反轉層，所以Vgs變為正，對應的Vt也為正。

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14 下列有關場效應電晶體臨限電壓（threshold voltage）Vt的敘..-阿摩線上測驗