13. 有關半導體製程的敘述，下列何者正確？
(A) 柴可斯基法(Czochralski Process)拉晶形成的矽晶棒，其直徑精度很難控制
(B) 半導體薄膜製作，通常採用氣相沈積和還原法
(C) 半導體蝕刻製程是將顯影後晶片表面光阻覆蓋區域蝕除，露出矽晶材料
(D) 半導體以離子植入法摻入碳原子至矽基板，可以製造 P 型半導體

統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習- 107 年 - 107 四技二專統測_機械群_專業科目(二)：機械製造、機械基礎實習、製圖實習#75922

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	charlieleo52 大四上 (2019/06/10) (B) 半導體薄膜製作，通常採用氣相沈積... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

陳建銘高二下 (2019/06/09)

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