【詳解卡新福利】寫作批改懸賞券，將於 2024/10/31 23:59:59 過期，還沒使用或領取，趕快前往領取並使用吧！前往查看

13. 有關新興製造技術的敘述，下列何者正確？
(A) 薄膜製程之氧化法適用於產生非矽質基板的沉積層
(B) 摻雜之目的在不受保護的矽基板上產生 B 型或 C 型半導體
(C) 非等向性蝕刻較等向性蝕刻容易在晶圓上產生過切現象
(D) 晶粒經電路測試完成後，再從晶圓切離

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難度： 困難

	1F 油僱已上岸大四上 (2020/07/28) (A)氧化法只能產生與基板相同材質★★★★... (內容隱藏中) 查看隱藏文字
	2F uu8528466 高二上 (2022/05/29) 摻雜：在不受保護的矽基板上產生N型或P型乾式蝕刻：具有高度方向性，可形成高度的非等向性蝕刻，電路線條精度較高濕式蝕刻：等向性、腐蝕非常慢會過切，電路線條精度較差檢舉

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