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無年度 - 二極體與稽納二極體#4364
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13. 某矽二極體在溫度20℃時之逆向飽和電流為5mA,若溫度上升至50℃時,則逆向飽和電流變為多少?
(A)30
(B)40
(C)50
(D)60 mA。
答案:
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統計:
A(19), B(150), C(23), D(11), E(0) #182987
詳解 (共 2 筆)
陳軍裕
B1 · 2013/04/16
#595751
50-20/10 2的三次方=8 8*5=40mA
2
0
kai
B2 · 2016/10/21
#1486026
每10℃上升2倍
1
0
私人筆記 (共 1 筆)
邵恆
2024/03/26
私人筆記#5845699
未解鎖
電子學 -無年度 - 二極體與稽...
(共 2157 字,隱藏中)
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相關試題
14. 純矽半導體本質濃度Nt=1.5×1010原子/cm3,其密度為5×1022原子/cm3,若每108個矽原子加入一個硼原子,電子濃度為多少? (A)1.5×1010 (B)5×1022 (C)5×1032 (D)4.5×105 電子/cm3。
#182988
15. 將硼B元素摻進純矽晶體內,則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型 (D)J型 材料。
#182989
16. 當P型及N型材料相接觸時,即會產生一空乏層,而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。
#182990
17. 對一處於絕對零度(0ºk)之本質半導體,在此本質半導體之兩端加一電壓;若此本質半導體並未發生崩潰,則在本質半導體內 (A)有電子流,也有電洞流 (B)有電子流,但沒有電洞流 (C)沒有電子流,但有電洞流 (D)沒有電子流,也沒有電洞流。
#182991
18. 障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。
#182992
19. 稽納二極體常應用於 (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓 電路。
#182993
20. 整塊N型半導體是呈現 (A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性。
#182994
1. 電子伏特是能量的單位,1eV=1.6×10-19焦耳。(A)O(B)X
#182995
2. 若將五價雜質摻入純矽(或鍺)中,就形成P型材料。(A)O(B)X
#182996
3. PN接合面所形成的空乏區中含有自由電子及電洞。(A)O(B)X
#182997
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