初等/五等/佐級◆電子學大意題庫下載題庫

上一題
19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效應，下列敘述 何者錯誤？
(A)增加 Vbias將提高放大器之電壓增益
(B)增加 C 值可降低放大器之低頻 3-dB 頻率ωL
(C)增加電晶體之 W/L 可提高放大器之電壓增益
(D)增加 RL可提高放大器之電壓增益

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難度： 簡單
1F
leochan87 高二下 (2016/12/26)

php03WTME#s-267,237

(B)、(C)、(☆)★★。

(☆) ★★ ☆☆☆☆☆...



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2F
KEVIN_HUGO 高三下 (2019/04/22)

增加Vb不是會增加Vgs所以ID和gm 就會上升???? 哪裡錯

3F
我只是略懂 大一下 (2019/04/22)

這種電路ID已經固定 如果VGS上升 K就必須下降Id=k*(VGS-Vt)

K下降gm就下降  gm=(2/Vt)(Id*K)1/2


19 如圖所示放大器，若電晶體操作於飽和區，電流源為理想，且忽略元件之寄生電容效..-阿摩線上測驗