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15. 下列有關對於BJT電晶體與金氧半場效電晶體（MOSFET）的敘述，何者錯誤？
(A) BJT是一種電流控制元件，MOSFET是一種電壓控制元件
(B)FET為單極性元件
(C)BJT的基極輸入阻抗比MOSFET的閘極輸入阻抗大
(D) BJT為雙極性元件。

教甄◆電子科/資訊科/電機科/冷凍空調科/控制科/電機空調科- 108 年 - 108年教育部受託辦理公立高中職教甄資訊科試卷#76058

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