15. 如下圖電路，Vo = a× V₁  + b×V₂，試問 a + b為何？

(A)-2
(B)
(C)
(D)4

1. 如下圖電路，I２ = A 安培，VA = B 伏特，則A+B為何？ (A)83 (B)67 (C)-67 (D)-83

2. 正電荷順電場方向移動，則位能及電位會如何變化？ (A)位能增加，電位增加 (B)位能增加，電位減少 (C)位能降低，電位增加 (D)位能降低，電位減少

3. 如下圖電路，戴維寧等效電壓ETH = A伏特，等效電阻RTH = B歐姆。Iab = C安培，則A + B + C 為何？ (A)42 (B)44 (C)46 (D)48

4. 兩耦合線圈 L1 = 4H、 L2 = 9H，已知其耦合係數 k = 0.5。若兩線圈通以直流電流I1= 2A、 I2 = 2A，且兩者磁通方向為互助，則此系統儲存之總磁能為多少焦耳？ (A)26 J (B)32 J (C)38 J (D)50 J

5. 如下圖電路， I1 以及整個電路總共消耗的實功率為何？ (A) I1 = 20∠53.1° A，P = 4500W (B)I1 = 20∠-53.1° A，P = 2000W (C)I1= 20∠-53.1° A，P = 4500W (D) I1= 20∠-53.1° A，P = 6500W

6. 如下圖v(t)交流週期電壓，試問其有效值為何？ (A)4V (B)5V (C)6V (D)8V

7. 有關 RLC 串聯諧振電路，下列敘述何者錯誤？ (A)當工作頻率低於諧振頻率時，電路的電流會超前電源電壓 (B)電路發生諧振時，電源端提供的視在功率會等於實功率 (C)若減少電路中的電阻值，電路的頻寬會變窄且選擇性變佳 (D)電路諧振時，電感兩端電壓與電容兩端電壓的相位相同，且大小相等

8. 如下圖，線電壓為 220V，則此電路總消耗虛功率為何？ (A)651.2 VAR，電容性 (B)651.2 VAR，電感性 (C)3748.8 VAR，電容性 (D)3748.8 VAR，電感性

9. 如圖所示之穩壓電路，若稽納二極體(Zener Diode)的崩潰電壓為 12V，輸入電壓的範圍為 16V ≦  Vi ≦ 24V，負載電阻的範圍為 600Ω ≦R ≦ 1200Ω。若要維持穩壓功能，則此稽納二極體所消耗之最大功率為何？ (A)480 mW (B)600 mW (C)720 mW (D)840 mW

10. 有關雙載子接面電晶體 (BJT)之敘述，下列何者錯誤？ (A)若要減緩歐力效應(Early Effect)並提高歐力電壓( VA )，元件設計上通常會使基極摻雜濃度( NB)大於集極摻雜濃度( NC)，讓集基接面( JCB)逆向偏壓時的空乏區主要往集極端延伸。 (B)當電晶體進入深度飽和區(Deep Saturation)時，由於集基接面( JCB)與射基接面( JEB)皆處於順向偏壓，基極區內將累積大量超額少數載子，導致穩態時的射極電流必大於集極與基極電流之總和(即 (IE>IB+ IC)以維持電荷平衡。 (C)若將 NPN 電晶體之射極與集極反接並操作於逆向主動區(Reverse-Active Mode)，由於原集極區的摻雜濃度較低，導致載子的射入效率 (Injection Efficiency) 極差，其共射極電流增益βR會遠小於正向主動區的 βF。 (D)為提升 BJT 的高頻切換響應，通常會盡可能縮減冶金基極寬度(Metallurgical base width)，但此舉會增加貫穿效應(Punch-through breakdown)發生的機率，使得基極與集極間的逆向崩潰電壓BVCBO顯著降低。

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