飽和條件:
1通道形成VGS<VT
2.GD間通道夾止 VGD>VT,0-VD>=-2 VD<=2
VGS-VT>VDS,0-5-(-2)> VD-5,-3> VD-5,2>=VD
22. 有一個P通道增強型MOSFET,其臨界電壓VT = -2 V,假設其閘極..-阿摩線上測驗