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17 在室溫下,考慮一pn接面矽半導體,p側之電子濃度為 1×10
7
cm
-3
,n側之電洞濃度為 1×10
5
cm
-3
,當 施加一逆向偏壓時,空乏區之分布應為下列何者?
(A)大部分空乏區位於 n 側
(B)大部分空乏區位於 p 側
(C)n 側空乏區與 p 側空乏區一樣大
(D)p 側沒有空乏區
初等/五等/佐級◆電子學大意
-
100 年 - 100 原住民族特種考試_五等_電子工程:電子學大意#45324
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ccgc
國二上 (2019/04/29)
要把P側換成電洞濃度 NA=Ni2/ (1 ☆ 107 ),...
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17 在室溫下,考慮一pn接面矽半導體,p側之電子濃度為 1×107 cm-3,..-阿摩線上測驗