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上一題

3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅標示某假想製程厚度， 此電晶體的臨界電壓（threshold voltage）的絕對值為|Vth| = 0.5 V。VD1 = 2 V，VD2 = -2 V，VD = 2 V， VE = -2 V。試由此結構剖面判斷此電晶體的閘極氧化層是那一層？
(A) A 層
(B) B 層
(C) C 層
(D) D 層





3 下圖是一矽場效電晶體（Si FET）元件的剖面結構，各層使用不同材料，圖中僅..-阿摩線上測驗