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1計算機概論和2電子學
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103年 - 103 中華電信股份有限公司所屬機構從業人員(基層專員)遴選試題_資訊類專業職(三)專員:(1)計算機概論 (2)電子學#122472
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19.一個包含 256 個節點的二元樹之最小樹高為何?
(A) 7
(B) 8
(C) 9
(D) 10
答案:
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統計:
A(0), B(5), C(7), D(0), E(0) #3307241
詳解 (共 1 筆)
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B1 · 2025/10/13
#6888393
1. 題目解析 在這個題目中,我們需要計...
(共 962 字,隱藏中)
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相關試題
42.如【圖 42】所示以分壓器偏壓之 BJT 共射極(common-emitter, CE)放大器,則下列敘述何者錯誤?(A)計算直流偏壓條件時,C1與 C2可視為開路 (B)集極到基極間電壓約等於 1.4 V (C)電壓增益約為−2 倍 (D)基極電流 IB約等於 4 µA
#3307264
43.有關 BJT 的共極集(common-collector, CC)放大器,下列敘述何者錯誤? (A)輸入電阻小、輸出電阻大 (B)又稱為射極隨耦器(emitter follower) (C)適合作為緩衝器(buffer)以提供阻抗匹配(impedance matching) (D)功率增益約等於電流增益
#3307265
44.如【圖 44】所示以 CC 放大器為主的達林頓對(Darlington pair)放大器,則等效的共射極電流增益β為何?(A) 50 (B) 150 (C) 5000 (D) 2
#3307266
45.有關接面場效電晶體(junction field effect transistors, JFET)結構的敘述,下列何者錯誤? (A)只含一個 pn 接面,是一種單極性元件(unipolar device) (B)控制 pn 接面兩端的偏壓可改變 JFET 的等效電阻 (C)汲極(drain)與源極(source)之間的通道(channel)是主電流流經的路徑 (D)閘極(gate)的半導體材料與通道相同
#3307267
46.一 N 型 JFET 的夾止電壓(pinch-off voltage) VP為−5 V,當操作於歐姆區(ohmic region)或三極區(triode region)、 且 VGS為一固定值−1 V 時,下列汲-源極電壓,何者可以產生最大的 ID? (A) 4 V (B) 3 V (C) 2 V (D) 1 V
#3307268
47.如【圖 47】所示的 JFET 電路,IDSS = 12 mA 且 VP = −3 V,請問下列 RD值何者可以使該 JFET 操作於夾止區? (A) 0.9 kΩ (B) 1.1 kΩ (C) 1.3 kΩ (D) 1.5 kΩ
#3307269
48.有關金屬氧化物半導體場效電晶體(metal-oxide semiconductor field effect transistors, MOSFET)的敘述,下列何者錯誤? (A)閘極與半導體通道之間是絕緣的 (B)輸入阻抗非常低 (C)汲極與源極各自連接較高摻雜濃度的半導體材料 (D)空乏型(depletion type) MOSFET 的操作與 JFET 類似
#3307270
49.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VGS = 1 V、VDS = 4 V 時,ID值為何? (A) 1 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#3307271
50.一空乏型 NMOSFET 的 IDSS = 9 mA、VP = −3 V,當 VDS = 4 V 時,則 VGS = 1 V 與−1 V 的 ID比值為何? (A) 1 : 1 (B) 16 : 9 (C) 16 : 4 (D) 16 : 1
#3307272
51.一增強型(enhancement type) NMOSFET 的臨界電壓(threshold voltage) VT = 1 V,且在 VGS = 4 V 時的飽和汲極電流為 9 mA,則 VGS = 3 V 時的 ID為何? (A) 0 mA (B) 4 mA (C) 9 mA (D) 16 mA
#3307273
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