2 對於 n-通道增強型 MOSFET 的本體效應（body effect），下列敘述何者正確？
(A)源極電壓提高時，源極與本體之間的空乏區會縮小
(B)源極電壓提高時，電晶體的臨界電壓下降
(C)變化源極對本體的電壓也可以影響汲極電流
(D)本體應接到電路的最高電壓

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難度： 簡單

最佳解!
	Aldini 幼兒園下 (2019/01/21) (A)源極電壓提高時，故源極和體極的PN... (內容隱藏中) 查看隱藏文字

已上台電職員小一下 (2021/06/29)

這題考很細呢! 難度竟然只有適中!

body effect: 當源極與基板間外接反向偏壓Vsb時

當源極電壓上升 :

1.空乏區變大 (A)錯誤

2.有效通道厚度下降導致ID下降 (C)正確

3.源極與通道接面位障變大

4.Vt變大 (B)錯誤

改善方法:

1.NMOS:體極接最負電壓 PMOS:體極接最正電壓 (D)錯誤

2.增加Vgs及Vgd使ID上升

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