1.電工及電子學；2.數位系統；3.電工機械題庫下載題庫

*ni²與溫度正相關
(A)切入電壓=Vjo=V_T*ln(N_A*N_D/ni²)
(B)Is∝ni²
(C)順向偏壓時，P型和N型多數載子擴散增加，使得P型和N型靠近空乏區處少數載子濃度提升，形成擴散電容。
(D)Cj=ε*A/d, d為空乏區厚度。逆向偏壓時，空乏區變厚，故空乏區電容降低。