2. 記憶細胞（memory cells）的增生於何時發生？ ① 0至7 天之間 ②7至 14 天之間 ③28至 35 天之間 ④35至 42 天之間
(A)①②
(B)①③
(C)②③
(D)②④。

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統計： A(27), B(90), C(42), D(34), E(0) #2227442

詳解 (共 1 筆)

#5802849

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memory B會在遇到抗原時經過colonal selection生成，後來若遇到相同抗原會再出現，並且提高防禦速度
因此答案為0-7 & 28天左右 這兩者。

體液免疫（抗體主導） 細胞主導
定義 B細胞合成抗體isotype switching，
與抗原結合使其不活化		 毒殺T攻擊抗原
主要攻擊 外病原菌（體液的抗原） 內病原菌、癌症
攻擊方式 菌落選擇(clonal selection)
特定抗原orTH刺激，分化＆增量形成：
1.效應細胞＆plasma cell→會變抗體(IgＸ)：打完就死
2.記憶細胞：記憶會長存，下次反攻會更快

中和抗原：中和毒素，防止病毒黏體細胞

黏著抗原、固定細菌、加強吞噬

活化補體：做細胞溶解(C3b被降解)

沒有分解！！		 Cytotoxic進細胞殺（不是用抗體!!）
- 分泌蛋白質：穿孔素、顆粒酶
辨認方式 體液中的抗原 抗原呈現細胞APCs：1.樹突 2.巨噬 3. B cell 吞噬病原
- THelp: MHII CD4 (記：ask 4 help)
- TCyto: MHI CD8 
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