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9. 若PN接面的空乏區兩側，P型半導體與N型半導體的摻雜(Doping)濃度不同，濃度較高者，該側空乏區寬度將如何變化？
(A)較窄
(B)相同於另一側
(C)較寬
(D)無法比較

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