台電◆電子學 題庫下載題庫

上一題
22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT = -2 V，假設其閘極(gate)接地而源極(source)接 至+5 V，欲使此元件操作在飽和區(saturation region)，則汲極(drain)之最高電壓為何？
(A) 7 V
(B) 5 V
(C) 3 V
(D) 2 V

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難度： 簡單
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中華電已上榜 高二下 (2017/08/01)
VDS<=VGS-VTVD-5&a☆☆;........


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2F
鍾佩君 高三下 (2018/04/20)

飽和條件:

1通道形成VGS<VT

2.GD間通道夾止  VGD>VT，0-VD>=-2  VD<=2

                VGS-VT>VDS，0-5-(-2)> VD-5，-3> VD-5，2>=VD　


22. 有一個P通道增強型MOSFET，其臨界電壓VT = -2 V，假設其閘極..-阿摩線上測驗