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統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習題庫
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13. 有關新興製造技術的敘述,下列何者正確?
(A) 薄膜製程之氧化法適用於產生非矽質基板的沉積層
(B) 摻雜之目的在不受保護的矽基板上產生 B 型或 C 型半導體
(C) 非等向性蝕刻較等向性蝕刻容易在晶圓上產生過切現象
(D) 晶粒經電路測試完成後,再從晶圓切離
統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習
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109 年 - 109 四技二專統測_機械群_專業科目(二):機械製造、機械基礎實習、製圖實習#85157
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0.34
討論
私人筆記( 0 )
1F
油僱已上岸
大四上 (2020/07/28)
(A)氧化法只能產生與基板相同材質★★★★...
(內容隱藏中)
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2F
uu8528466
高二上 (2022/05/29)
摻雜:在不受保護的矽基板上產生N型或P型
乾式蝕刻:具有高度方向性,可形成高度的非等向性蝕刻,電路線條精度較高
濕式蝕刻:等向性、腐蝕非常慢會過切,電路線條精度較差
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13. 有關新興製造技術的敘述,下列何者正確? (A) 薄膜製程之氧化法適用於..-阿摩線上測驗