24 下列對於動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM, DRAM)與靜態隨機存取記憶體(Static RAM, SRAM)的敘 述何者正確?
(A)靜態隨機存取記憶體是以正反器(flip-flop gate)的方式設計儲存單元
(B)動態隨機存取記憶體的存取速度比靜態隨機存取記憶體快
(C)靜態隨機存取記憶體需週期性的更新內容以保存其儲存的資料
(D)在相同的晶片面積下,動態隨機存取記憶體容量小於靜態隨機存取記憶體

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統計: A(289), B(109), C(66), D(54), E(0) #1187923

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SRAM:由正反器儲存資料,不需充電補充...
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#1677993
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#5806602
(C)靜態隨機存取記憶體需週期性的更新內...
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私人筆記#7589605
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(B) 動態隨機存取記憶體的存取速度比靜...
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