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100年 - 100 臺灣菸酒股份有限公司_從業職員及從業評價職位人員甄試_電氣技術員、電子技術員:電子學#27407
> 試題詳解
24.如【圖 24】所示,有一個矽二極體之 i
D
與 v
D
之關係式為:i
D
=I
Se
,其中 V
T
為熱電壓,一般取為 25mV。若 當 iD=1mA 時,其 v
D
=0.7V;則當 i
D
=10mA 時,其 v
D
之值為:(取 ln10=2.3)
(A) 0.7V
(B) 0.73V
(C) 0.76V
(D)0.79V
答案:
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統計:
A(9), B(10), C(60), D(5), E(0) #944116
詳解 (共 1 筆)
蘇su
B1 · 2019/01/30
#3184780
ID1=IS*e(VD1/VT),ID2...
(共 175 字,隱藏中)
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相關試題
25.如【圖 25】所示之二極體電路,設二極體導通時之電壓 VD=0.7V,已知 R=2kW,R1=1kW,R2=1kW,V1=3V, V2=5V,則當 VS=+10V 時,輸出電壓 Vo約為: (A) 3.7V (B) 4V (C) 5.8V (D)10V
#944117
26.如【圖 26】所示之電路,設齊納(Zener)二極體的 VZ=5V,5mA < iZ < 100mA;當 VS=6.3V,R=10歐姆 時,若此電路要正常運作,iL 的最大電流可為: (A)0(B)30mA (C)125mA (D)130mA
#944118
27.可推知其跨於基 極射極的 rp 值為: (A) 200W (B) 250W (C) 2kW (D)2.5kW
#944119
28.續 27 題,並可推知其集極電流 IC值約為:(取熱電壓 VT=25mV) (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D)8mA
#944120
29.設 VCC=5V,電晶體導通之 VBE=0.7V,電晶體飽和之 VCE=0.2V,此電晶體最可能操 作在:(A)截止(cut off)模式 (B)主動(active)模式 (C)飽和(saturation)模式 (D)反向主動(reverse active)模式
#944121
30.同 29 題電路,若電晶體之β=50,Rc=2kW,RB=5.5kW,則集極電流 IC值為: (A) 0.6mA (B) 1.2mA (C) 2mA (D)2.4mA
#944122
31.如【圖 31】所示之電流鏡電路,設各電晶體具有相同特性,並均操作於主動模式(active mode),且不計爾列 效應(Early effect)。若 VCC=5V,R=1kW,假設導通之 VBE=0.7V 並忽略β,則 IO 值約為: (A) 4.3mA (B) 4.8mA (C) 7.8mA (D)8.6mA
#944123
32.電晶體之臨界電壓 Vt=1V。若當 I=1mA 時測得 Vo=2V;則若 I 增為 4mA 時,Vo 的值為: (A) 2V (B) 3V (C) 4V (D)5V
#944124
33.同 32 題電路,該電晶體操作在: (A)截止(cut off)模式 (B)三極體(triode)模式 (C)飽和(saturation)模式 (D)正好在三極體模式和飽和模式的交界處
#944125
34.Q1 與 Q2 具有相同特性,其臨界電壓(threshold voltage)Vt=0.8V。當此電路操作於共模輸入電壓 VG1=VG2=VCM 時,該 VCM 的最大值應限定在:(A) 0.8V (B) 2V (C) 2.8V (D)5V
#944126
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