25. 該控制器目標設定點 ( SP ) 為 40°C，但長期以來控制器裡的程序變數 ( PV ) 數值總是穩定 在 30°C。若經由工程師檢查後確認程序變數之數值與反應器內溫度完全一致，試問改成下 列哪一種控制器模式會使程序變數數值更接近於設定點且較穩定？
(A) 開關式控制(On –Off)
(B) 積分控制(I)
(C) 比例積分控制(PI)
(D) 比例微分控制(PD)

1. 有一批次絕熱反應器進行兩次實驗，其反應式為A+2B→AB2，平均反應熱為−0.1kJ∙mol −1。 第一次實驗反應前以 1 mol 反應物 A 與 2 mol 反應物 B 進入該反應器，而且 A 和 B 的溫度 皆固定為 300 K，反應後溫度為 310 K。第二次實驗反應前 A 之進料莫耳數與 A 和 B 溫度 跟第一次實驗相同，但改變反應物B之進料莫耳數，並假設反應後的溫度同樣為310K， 下列敘述何者正確？( A 的平均定壓莫耳熱容量為 1 J∙ mol−1 ∙ K−1 ，B 的平均定壓莫耳熱容 量為2 J∙mol−1 ∙K−1 ，AB2 的平均定壓莫耳熱容量為5J∙mol−1 ∙K−1) (A) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，AB2之選擇性上升 (B) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，B之轉化率不變 (C) B之進料莫耳數從2mol減少為1mol，B之轉化率上升 (D) B之進料莫耳數從2mol增加為3mol，B之轉化率上升

2. 一熱交換器進行能量交換，假設設備無熱量損失，且流體沒有發生相變化也沒有磨擦損失， 下列敘述何者正確？ (A) 比熱較高的流體，必定獲得較多熱量 (B) 質量流率較快的流體，必定獲得較多熱量 (C) 冷流體的溫度變化量一定等於熱流體的溫度變化量 (D) 冷流體得到的熱量等於熱流體失去的熱量

3. 下列關於壓縮因子 ( Z ) 的敘述，何者正確？ (A) 當壓力趨近於零時，Z 值皆接近於零 (B) 當壓力從趨近於零開始逐漸增加時，所有真實氣體的 Z 值呈直線上升 (C) 壓縮因子被用來修正理想氣體狀態方程式，以描述真實氣體行為，故 Z 值僅受到溫度 與壓力影響 (D) 無論在低壓或高壓時，同體積及同莫耳數的理想氣體之 Z 值皆保持不變

4. 下列有關理想氣體之敘述，何者正確？ (A) 氣體分子的平均動能與絕對溫度成反比 (B) 氣體分子作同方向的直線運動 (C) 氣體分子碰撞前後總動能不變 (D) 氣體分子間具有作用力

5. 依據克勞修斯-克拉伯隆方程式(Clausius-Clapeyron equation )，下列有關單一成分液體的 蒸氣壓與溫度之敘述，何者正確？ (A) 蒸氣壓為物質的固有性質，與溫度無關 (B) 蒸氣壓隨絕對溫度上升而呈指數型增加 (C) 蒸氣壓與絕對溫度的倒數呈正比關係 (D) 蒸氣壓與絕對溫度呈正比關係

6. 研究生在研究香水配方時發現，香水隨時間會呈現不同層次的香氣變化。當香水噴灑於 皮膚表面時，前調香味短時間內散去，而後調香味則可長時間留存。關於構成前調與 後調之兩種液體性質，下列何者敘述正確？ (A) 後調成分之香味可在皮膚上長時間留存，代表其揮發時不需吸收熱量 (B) 後調成分在常溫下的飽和蒸氣壓顯著高於前調成分 (C) 前調成分相較於後調成分，具有較大的汽化熱 (D) 前調成分的沸點通常低於後調成分

7. 以 X 光繞射儀分析晶體時，會使用到布拉格 ( Bragg ) 方程式，發生第一級反射時可表示 為：λ=2dsinθ，其中的 λ 是X光的波長，d是同類型晶面的平面間距，則下列何者正確？ (A) X光繞射儀最常用來分析材料的官能基種類 (B) θ 等於被晶面反射的光線與入射光的夾角 (C) 相鄰兩晶面的反射光產生破壞性干涉 (D) 方程式右側代表相鄰兩晶面的X射線之光程差

8. 以X光繞射儀分析某種立方晶系的晶體時，使用同一種波長的X光可測得晶面A與晶面B 的第一級的反射角分別為30 °和60 °，則下列何者可能是晶面A和晶面B的米勒指數？ (A) A(100)、B(111) (B) A(110)、B(100) (C) A(101)、B(111) (D) A(111)、B(010)

9. 在定溫條件下，下列關於郎謬 ( Langmuir ) 吸附理論的敘述，何者正確？ (A) 當壓力增加至一定程度時，吸附量幾乎不再隨壓力持續增加 (B) 吸附質分子均勻分布於吸附劑表面，並形成多層吸附結構 (C) 吸附質分子之間存在交互作用力，因此不會發生脫附行為 (D) 吸附熱會隨著表面覆蓋率提升而顯著降低

10. 研究生在實驗室測得某液體在固體表面上的接觸角為120°，則該固體表面對於此液體呈現 何種潤濕現象？ (A) 液體可以完全潤濕固體表面 (B) 液體較容易潤濕固體表面 (C) 液體完全不潤濕固體表面 (D) 液體較難以潤濕固體表面

115年 - 115 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#139316

114年 - 114 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組(化工群)：基礎化工、化工裝置#137228

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113年 - 113 四技二專統測_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#125703

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111年 - 111 身心障礙學生升學大專校院甄試試題_四技二專組_化工群_專業科目(一)：基礎化工、化工裝置#118887

111年 - 111 四技二專統測_化工群：專業科目(一)基礎化工、化工裝置#107816

110年 - 110 四技二專統測_化工群_專業科目(二)：化工原理(基礎化工、化工裝置)#98531

109年 - 109 四技二專統測_化工群_專業科目(二)：化工原理(基礎化工、化工裝置)#85137