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統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習題庫
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6. 有關半導體製程之敘述,下列何者正確?
(A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造成二氧化矽的過切問題
(B) 蝕刻是將晶圓上未受光阻保護之氧化膜移除
(C) 微影製程通常是不需要經過光罩曝光就可以完成
(D) 矽是半導體,如果摻雜硼或磷之後,就會變成導體
統測◆01機械群◆(二)機械製造、機械基礎實習、製圖實習
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103 年 - 103 四技二專統測_機械群_專業科目(二):機械製造、機械基礎實習、製圖實習#98323
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6. 有關半導體製程之敘述,下列何者正確? (A) 乾式蝕刻比濕式蝕刻容易造..-阿摩線上測驗