*ni²與溫度正相關(A)切入電壓=Vjo=VT*ln(NA*ND/ni²)(B)Is∝ni²(C)順向偏壓時,P型和N型多數載子擴散增加,使得P型和N型靠近空乏區處少數載子濃度提升,形成擴散電容。(D)Cj=ε*A/d, d為空乏區厚度。逆向偏壓時,空乏區變厚,故空乏區電容降低。
30.下列有關二極體特性的敘述,何者正確? (A)溫度上升時,切入電壓隨之降低..-阿摩線上測驗