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國營事業◆1.化工熱力學 2.化學反應工程學
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115年 - 115 經濟部所屬事業機構_新進職員甄試_化工製程:1.化工熱力學 2.化學反應工程學#146869
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30. 理想連續攪拌槽反應器(CSTR)在完全混合假設下,下列敘述何者正確?
(A)入口濃度等於出口濃度
(B)槽內濃度沿軸向逐漸降低
(C)槽內濃度與出口濃度相同
(D)槽內各處濃度皆等於入口濃度
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B1 · 2026/10/20
#7612417
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相關試題
31. 對正級數反應,若要求相同轉化率且進料條件相同,通常理想PFR與理想CSTR所需體積比較,下列敘述何者正確? (A) CSTR較小,因槽內濃度均一 (B)兩者相同,因平均停留時間相同 (C) CSTR較小,因出口濃度可代表槽內濃度 (D) PFR較小,因多數區段可維持較高反應物濃度
#4066566
32. 某氣相反應 $A \rightarrow 3B$,在恆溫、定容批次反應中進行,進料為純 A。若反應一段時間後,系統壓力比初始壓力增加 $50\%$,則 A 的轉化率為何? (A) 20% (B) 25% (C) 50% (D) 70%
#4066567
33. 平行反應 $A \rightarrow B$,$E_1 = 80 \text{ kJ/mol}$;$A \rightarrow C$,$E_2 = 45 \text{ kJ/mol}$。B 為目的產物,假設兩反應皆遵循Arrhenius式,且其他條件不變,若想提高 B 相對於 C 的瞬間生成速率,下列何者正確? (A)降低反應溫度 (B)提高反應溫度 (C)溫度不影響 (D)僅能藉由提高壓力改善
#4066568
34. 某放熱CSTR原先操作於低溫、低轉化率穩態,若逐漸提高進料溫度,在達到某臨界條件後,反應器突然跳至高溫、高轉化率穩態,此現象主要原因為何? (A) Ignition (B) Extinction (C) Back-mixing (D) Short-circuiting
#4066569
35. 提高流體流速後,觀察到總反應速率明顯增加,下列何者為此現象的主要原因? (A)表面反應為唯一控制步驟 (B)內部擴散阻力一定增加 (C)外部質傳阻力不可忽略 (D)觸媒活性降低
#4066570
36. 某多孔觸媒反應中,溫度升高使反應速率常數 k 顯著增加,而有效擴散係數 $D_e$ 變化不大,則有關Thiele modulus($\emptyset$)之敘述,下列何者正確? (A) $\emptyset$ 減小,內部擴散限制減弱 (B) $\emptyset$ 增大,內部擴散限制增強 (C) $\emptyset$ 不變,因觸媒粒徑沒有改變 (D) $\emptyset$ 減小,觸媒有效因子 $\eta$ 也隨之降低
#4066571
37. 對正級數反應,若固定床催化反應器存在顯著壓降,而設計時卻完全忽略壓降,會導致下列何種結果? (A)高估實際反應物濃度而低估所需觸媒量 (B)低估實際反應物濃度而高估所需觸媒量 (C)低估出口壓力而低估反應物濃度 (D)僅影響流體流動特性,不影響反應器設計
#4066572
38. 某一級不可逆氣相反應 $A \rightarrow P$ 於等溫固定床催化反應器中進行,且體積流率可視為不變,反應速率為 $-r_A = kC_A$,達到轉化率 $X_A = 0.5$ 時所需觸媒重量 $W_1$;若欲提高至 $X_A = 0.8$,則所需觸媒重量 $W_2$ 為 $W_1$ 的多少倍? (A) 1.60 (B) 2.00 (C) 2.32 (D) 4.00
#4066573
39. 某連續攪拌槽式發酵反應器(CSTR)在穩態操作,菌體的比生長速率(Specific growth rate)為$\mu$,菌體死亡常數(Cell death rate constant)為$k_d = 0.05 \text{ hr}^{-1}$,若稀釋率為$D = 0.30 \text{ hr}^{-1}$且菌體濃度維持非零穩態,其$\mu$值為何? (A) $0.25 \text{ hr}^{-1}$ (B) $0.30 \text{ hr}^{-1}$ (C) $0.35 \text{ hr}^{-1}$ (D) $0.40 \text{ hr}^{-1}$
#4066574
40. 某CSTR微生物最大比生長速率(Maximum specific growth rate)為$\mu_{max} = 0.40 \text{ hr}^{-1}$,忽略菌體死亡,反應器稀釋率提高至$D = 0.50 \text{ hr}^{-1}$,會發生下列何種現象? (A) 菌體濃度持續增加 (B) 菌體濃度保持不變 (C) 基質濃度立即降為零 (D) 菌體洗出(Cell washout),菌體濃度趨近於零
#4066575
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